第三章 第3节_低温合成和分离.pptVIP

3.3 低温合成和分离;制冷的分类 -100℃ 普冷 -100℃ ~4.2K 深冷 4.2K以下 极冷 ;一、 低温的获得、测量和控制;◆制冷浴 ※冰盐共熔体系:将冰块和盐尽量弄细并充分混合 (通常用冰磨将其磨细) 可以达到比较低的温度。例如下面一些冰盐混合物可达到不同的温度: 3 份冰 +1 份 NaCl -21 ℃ 3 份冰 +3 份 CaCl2 -40 ℃ 2份冰＋1份浓HNO3 －56℃;※液氨:它的正常沸点是-33.4 ℃，一般说来它可使用的温度远低于它的沸点，可达- 45 ℃。需注意的是它必须在一个具有良好通风设备的房间或装置下使用。 ;1.2 液化气体的贮存和转移;;液态气体的转移;※加压法 用一个小橡皮球打气将液态空气压出 舀取法 使用较大量的和用普通玻璃制的杜瓦瓶时，液态空气切不可直接从瓶中倾倒出来，而是用铜舀来取。 ;1.3 低温的测量;常用的温度计有: 1.低温热电偶 ;各种热电偶名称及测温范围;;蒸汽压温度计：是利用与液体呈热平衡状态的饱和蒸气压来指示温度，通过测量蒸气压可以知道其温度。 优点：是在可使用的温度区间内灵敏度很高，尤其是在沸点附近，装置简单。 缺点：是可使用的温度范围窄。 水银柱或精确的指针压强计来测定正常的压强，测低压强可用油压强计或麦克劳斯压强计、热丝压强计。;1.4 低温的控制;1.冰水浴 (自来水冷却 ) 室温～12℃，流动的水； 12 ℃ ～ 0℃，加入冰块 冰—盐体系（最常用）(固体熔化制冷) 适用温度：0 ～ -25℃ ;2.相变制冷浴（可以恒定温度）;3.干冰浴(固体升华制冷) 原理：干冰的升华温度为-78.3℃，干冰的导热性不好 液态空气（-193℃～186℃）(液体气化制冷) 低沸点液体 ;◆ 低温恒温器;★第二类是所需温度包括液体正常沸点以上的温度范围，一般称为中间温度。可用两种方法获得中间温度：一种是使试样或装置与液池完全绝热或部分绝热，然后用电加热来升高温度；另一种是用冷气流，制冷机或其它制冷方法 (例如活性炭退吸附等) 控制供冷速率，已得到所需温度。;三、低温化学合成;1、液氨中的合成;(2) 化合物在液氨中的反应： 　　　生成氨化物或亚胺化合物： BCl3 + 6NH3 === B(NH2)3 + 3NH4Cl BI3 ＋ 9NH3 === B2(NH)3 + 6NH4I (3)非金属与液氨的反应 NH3 + 4O3 === NH4NO3 + H2O + 4O2;2.低温下稀有气体化合物的合成;例：甲硅烷(SiH4)的合成 制备SiH4最古的方法是用稀盐酸处理硅化镁，如以Si02为起始原料，则反应式为: Si02 +Mg→Mg2Si Mg2Si +HCl → SiH4 （一196 ℃） 注意：用此方法合成的SiH4 ，常含有乙硅烷、丙硅烷、丁硅烷以及其它高纯硅烷，为得到纯SiH4分须进行分离。 SiH4用一196 ℃(戊烷作冷媒)的捕集器收取。;（2）低温下非晶质材料的合成;二、低温下气体的分离; 所谓低温下的分级冷凝是让一个气体混合物通过不同低温的冷阱，由于气体的沸点不同，就分别冷凝在不同低温的冷阱内，从而达到其分离目的。 通常认为当某种气体通过冷阱后其蒸气压小于1.3Pa 时就认为是定量地捕集在冷阱中，是冷凝彻底了；而蒸气压大于 133.3Pa 的气体将穿过冷阱，就认为不能冷凝。; 关于压强在1.3Pa 左右的温度-蒸气压数据往往对一些重要的化合物来说是没有的，或者不能很快的被计算出来，而给我们选择冷阱造成困难，但是对要分离的两种化合物来说，我们可以根据它们的???点或0.1MPa下的升华点来选择一个合适的温度，在某些情况下也可以用图3.17 。;注意：混合气体通过冷阱时的速度不能太快，不然分离效率要受影响，这是因为： (1)低挥发性组分在冷阱里不可能彻底冷凝下来，有可能被高挥发性组分带走。 (2)由于系统中的压力相当高，高挥发性组分可能部分地被冷凝到冷阱中。 当然，如果通过太慢，冷阱中部分低挥发性组分的冷凝物要蒸发 (即使在这种低温下低挥发性组分也具有一定的蒸气压)。因此，高挥发性组分中可能含有低挥发性组分。 ; 使用范围：沸点差大