第二章光纤传感系统.pptx

第2章 光纤传感系统;;;2.2光纤传感系统中的光源;（3）粒子数反转（population inversion）是激光产生的前提。把处于基态的原子大量激发到亚稳态E2，处于高能级E2的原子数就可以大大超过处于低能级E1的原子数。这样就在能级E2和E1之间实现了粒子数的反转。 实现粒子数反转的条件：通常实现粒子数反转要依靠两个以上的能级：低能级的粒子通过比高能级还要高一些的泵浦能级抽运到高能级。一般可以用气体放电的办法来利用具有动能的电子去激发激光材料，称为电激励；也可用脉冲光源来照射光学谐振腔内的介质原子，称为光激励；还有热激励、化学激励等。各种激发方式被形象化地称为泵浦或抽运。为了使激光持续输出，必须不断地“泵浦”以补充高能级的粒子向下跃迁的消耗量。;（5）增益：在注入电流的作用下激活区受激辐射不断增强。损耗：受激辐射在谐振腔中来回反射时的能量???耗。包括载流子吸收、缺陷散射及端面透射损耗等。 阀值电流：增益等于损耗时的注入电流 （6）半导体激光器工作原理是激励方式，利用半导体物质（即利用电子）在能带间跃迁发光，用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光振荡、反馈，产生光的辐射放大，输出激光。　 半导体激光器优点：体积小、重量轻、运转可靠、耗电少、效率高等。;2.半导体激光器的P-I特性;;半导体异质结构： 是一种半导体结构，由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的能带隙，它们可以是砷化镓之类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金。?半导体异质结构的二极管特性非常接近理想二极管。另外，通过调节半导体各材料层的厚度和能带隙，可以改变二极管电流与电压的响应参数。半导体异质结构对半导体技术具有重大影响，是高频晶体管和光电子器件的关键成分。;有源层1um~2um;超辐射发光二极管（SLD）近年来迅速发展，它是介于激光器（LD）和发光二极管（LED）之间的一种半导体光电器件。其发光机理是一种强激发状态下定向的辐射现象。即当激发密度足够高时，自发发射的光子受激放大而雪崩式倍增，发光强度随激发强度超线型地急剧增加，谱线宽度变窄，由初始的自发发射占主导地位很快的演变为以受激发射占主导地位。 理想的超辐射光是一种相位不一致的非相干光源或称短相干光源。;可调谐分布反馈激光器DFB( Distributed Feedback Laser)与 FP激光器比较 1） DFB激光器不同之处是内置了布拉格光栅（周期性结构波纹状衍射光栅）来实现光的反馈，属于侧面发射的半导体激光器。目前，DFB激光器主要以半导体材料为介质，包括锑化镓(GaSb）、砷化镓（GaAs）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。DFB激光器最大特点是具有非常好的单色性（即光谱纯度），它的线宽普遍可以做到1MHz以内，以及具有非常高的边摸抑制比（SMSR），目前可高达40-50dB以上。;2.2.5光纤光栅激光器;2.2.6氦氖激光器;2.3光纤传感系统中的光电探测器;2.3.2雪崩二极管（APD）;APD具有较高的响应和内部增益，这种内部增益提高了器件的信噪比。APD将主要应用于长距离或接受光功率受到其他条件限制而比较小的光纤通信系统。 目前在光纤通信中，在短波段主要采用Si-APD管，在长波段主要采用Ge-APD管。;2.3.3光敏电阻;?;2.3.5硅光电二极管;2.3.6光电位置敏感器件;2.4光纤传感中光的调制技术;Thanks!;受激辐射：;发光强度