无机材料的电导.ppt

5. 无机材料的电导;本章的关键： 理解并掌握如下公式的含义;5.1 概述 ;材料电学性能的应用;5.2 电导的物理现象 ;电导率和电阻率的意义;2、体积电阻和体积电阻率;体积电阻Rv与材料性质及样品几何尺寸的关系:;管状试样的体积电阻;圆片试样的体积电阻和体积电阻率;板状式样：;圆片试样：;4、直流四端电极法 ;在室温下测量电导率常采用四探针法;二、电导的物理特性;（1）、霍尔效应（ 1879年G.Hall发现）;（2）、电解效应;2、迁移率和电导率的一般表达式;5.3 离子电导;1、本征电导：载流子——弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷。; （1）、弗仑克尔缺陷 弗仑克尔缺陷浓度： Ef：形成一个弗仑克尔缺陷（即同时生成一个填隙离子和一个空位）所需要的能量。;热缺陷的浓度取决于温度T和离解能E。 在高温下，热缺陷浓度较为显著，本征电导才显著。 E与结构有关，一般肖特基缺陷较弗仑克尔缺陷形成能低很多，容易形成。在结构较为疏松，离子半径很小的的情况下，才能形成弗仑克尔缺陷。 ;2、杂质电导;二、离子迁移率;U0一般相当大，远大于一般的电场能 热运动能是间隙离子迁移所需要能量的主要来源。 通常热运动平均能量仍比U0小很多。;某一间隙离子单位时间内某一方向跃迁的次数：;在δ/2距离上，顺电场和逆电场方向跃迁次数：;速度：;δ－相邻半稳定位置间的距离（cm），等于晶格距离 γ0 － 间隙离子的振动频率(s-1) q －电荷数(C) k = 0.86×10-4 (eV/Ｋ) U0 －无外电场时的间隙离子的势垒（eＶ） ;三、离子电导率;本征离子电导：;2、扩散与离子电导;（2）、能斯脱-爱因斯坦方程;四、离子电导率的影响因素;2、晶体结构;3、晶格缺陷; 固体电解质简介 定义 具有离子电导的固体物质称为固体电解质 ;固体电解质的分类;小结;6、影响离子电导率的因素：A、温度，在低温下，杂质电导占主要地位(曲线1)，高温下，固有电导起主要作用。 B、晶体结构，关键点：活化能大小――决定于晶体间各粒子结合力，C、晶体缺陷;5.4 电子电导;一、金属和半导体的导电机理;1、经典自由电子理论; 经典自由电子理论成功地导出了欧姆定律，并推导出金属的电导率?的计算公式：;2、量子自由电子理论;电导率计算公式为： nef ：单位体积内参与导电的有效自由电子数 t ：两次散射之间的平均时间 p ：单位时间内散射的次数，散射几率;3、能带理论;(1) 能级——在孤立原子中，原子核外的电子按照一定的壳层排列，每一壳层容纳一定数量的电子。每个壳层上的电子具有分立的能量值，也就是电子按能级分布。为简明起见，在表示能量高低的图上，用一条条高低不同的水平线表示电子的能级，此图称为电子能级图。;(2) 能带——当原子相互接近形成晶体时，不同原子的内外各电子壳层之间就有了一定程度的交叠。由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，电子受到周期性势场的微扰作用可以在整个晶体中运动,这种运动成为电子的共有化运动。 电子的这种共有化的运动,使本来处于同一能量状态的电子产生微小的能量差异，与此相对应的能级扩展为能带。分裂的每一个能带都称为允带，允带之间有禁带。; (3) 有关能带被占据情况的几个名词;三种导电理论的主要特征的变化;实例：以能带理论解释导体、半导体、绝缘体导电性的差异; 在外电场的作用下，大量共有化电子很 易获得能量，集体定向流动形成电流。;从能级图上来看，是因为满带（价带）与空带 之间（导带）有一个较宽的禁带（Eg 约3～ 6 eV），共有化电子很难从低能级（满带）跃 迁到高能级（空带）上去。;经典自由电子理论;量子力学理论;m*：电子的有效质量;散射的两个原因;三、载流子浓度;1、本征半导体的载流子浓度; 导电机理;本征半导体中，空穴与电子浓度相等，且Fh= 1- Fe，当 (Ef - E) kT 时，有：;Date; 本征激发成对地产生自由电子和空穴，自由电子浓度和空穴浓度相等 禁带宽度越大，载流子浓度越小 温度升高时，载流子浓度增大 载流子浓度与原子浓度相比是极小的，所以本征半导体的导电能力很微弱;2、杂质半导体的载流子浓度; n型半导体结构 n型半导体能带图;载流子浓度：;（2）、p型半导体（空穴型半导体）;三价元素称为施主杂质；EA施主能级 p型半导体中，空穴浓度大，空穴称为多数载流子（多子）；自由电子称为少子 在电场作用下，以空穴导电为主（空穴型半导体） ;本征半导体：本征半导体的载流子是由热激发产生的，其浓度与温度成指数关系。 n型半导体 第一项与杂质无关，第二项与施主杂质浓度N