本征离子电导.pptVIP

第二章 恒定电场中电介质的电导;3 本征离子电导 来源于晶体缺陷、电场下定向迁移！ 无缺陷完整晶体，不可能产生扩散型的过程以及离子电导。 但是，实际晶体都存在缺陷，主要包括： 肖特基缺陷 ( Schottky Defect ) 弗仑凯尔缺陷 ( Frenkel Defect ) 这两种缺陷都是向晶体提供导电离子的来源。 受到热激励后，这两类缺陷都可以迁移： 无外电场作用时：缺陷迁移是无规则的； 加上外电场后： 缺陷沿电场方向定向漂移而形成电流。 这就是本征离子电导过程。;接下来我们讨论电导的思路： 第一步： 分析 肖特基缺陷和弗仑凯尔缺陷的形成 第二步： 确定 载流子浓度 n 第三步： 确定 迁移率 μ 最 后： 讨论本征离子电导率 γ。 目的就是确定电介质的电导 ！;1）弗仑凯尔缺陷与肖特基缺陷的形成 弗伦凯尔缺陷： 离子晶体中，由于热激发，半径较小的离子挣脱晶格格点位置进入点阵间隙形成填隙离子，同时在点阵上产生一个离子空位，见图 3-7。 这种点阵间隙离子缺陷和点阵空穴缺陷同时成对出现。 称这种缺陷为弗仑凯尔缺陷。;肖特基缺陷： 当离子离开晶格到达晶体表面时，将构成新晶体时，在原晶格内相应地留下了空位，这样就形成了具有空穴缺陷，如图 3-8 所示。 称这种缺陷为肖特基缺陷。 由图可知，出现肖特基缺陷时，晶体体积稍有增加。;2）载流子浓度 弗仑凯尔缺陷产生了两种载流子: 正离子空位和正填隙离子。 其特点是成对出现。 肖特基缺陷：形成的载流子就只有离子空位一种。 但分成正离子空位和负离子空位两种 。 用统计物理方法，可以计算两种缺陷的浓度，分别为：;肖特基缺陷浓度推导： 系统熵 S 和系统微观状态数 W 有下列关系： ;设 uH 是一个原子或离子从晶体内部移动到晶体表面所需的能量， uL 为每个原子或离子的点阵能。那么，形成一个肖特基缺陷需要的能量为：;将式 (2-40)、式 (2-42)、(2-44) 代入式 (2-43)，并且注意到斯特林公式， 1nX 1 ＝x lnX - X，则可得：;弗仑凯尔缺陷浓度推导： 可用相似方法确定。与肖特基缺陷的差别在于： 由于弗仑凯尔缺陷为填隙离子和离子空位同时出现，他们对于系统的熵都有贡献。 因此，相应的微观状态数分别增加了W ’ 和 W ’’。可得：;利用平衡条件： ;由式 (3-47) 和式 (3-56) 可知： 肖特基缺陷浓度和弗仑凯尔缺陷浓度都是温度的指数函数， 当温度 T 升高时，ns、nf 都以指数函数急剧增大。 理论上，晶体中究竟会出现何种缺陷，主要取决晶体结构的紧密程度。 晶体结构紧密： us 《 uf，肖特基缺陷的可能性大，导电载流子为离子空位。 晶体结构松散： uf 《 us，弗仑凯尔缺陷可能性大，导电载流子为填隙离子和离子空位。 一般说来，两种缺陷可以同时存在， us 和 uf 大小决定缺陷择优。;3）迁移率 两种载流子在电场作用下迁移率（ μ= ）： ;4）肖特基缺陷、弗仑凯尔缺陷引起的电导率 确定载流子浓度和迁移率后，根据电导率 γ 通式：;式中， us1 为形成一个肖特基正离子空位所需要能量； Uo1 为一个肖特基正离子空位扩散时所需克服的势垒。 ;② 肖特基缺陷的负离子空位所提供的电导率;③ 弗仑凯尔缺陷的正填隙离子所提供的电导率 ;④ 弗仑凯尔缺陷的正离子空位所提供的电导率; 从电导率表达式可以看出： 1）不管是那一种电导机理，其电导率γ与温度 T 的关系是类似的。 即当温度 T 上升时，电导率激剧增高。 2）用对数表示，则 1nγ ＝f (1/T) ???图中表现为一直线。 一个共性规律！