2章晶体管及其基本放大电路课程.ppt

第 2 章 晶体管及其基本放大电路;本章教学目的与要求;2.1　双极型半导体三极管;(Semiconductor Transistor);一、结构、符号和分类;分类：;二、电流放大原理; 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。 若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。;3. 三极管内部载流子的传输过程;I CN;4. 三极管的电流分配关系;;2.1.2 晶体三极管的伏安特性曲线;O;二、输出特性;;;三、晶体管电路的基本问题和分析方法;判断饱和还是放大：;四、温度对特性曲线的影响;2. 温度升高，输出特性曲线向上移。;2.1.3 晶体三极管的主要参数;;三、极限参数;U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。;2.2　放大的概念及放大电路的性能指标;一、放大的概念;二、性能指标;电压放大倍数定义为: AU=UO/UI;2. 输入电阻和输出电阻;2. 输入电阻Ri——从放大电路输入端看进去的 等效电阻;3. 输出电阻Ro——从放大电路输出端看进去的等效电阻。; 输出电阻是表明放大电路带负载的能力，Ro越小，放大电路带负载的能力越强，反之则差。 ;3. 通频带;4. 通频带;2.3　共射基本放大电路的组成及其工作原理;2.3.1 放大电路的组成;2.3.2 共射基本放大电路的工作原理;符号说明;RB;;;;;单电源供电;RB;2.4　图解分析法;引　言;放大电路没有输入信号时的工作状态称为静态。;Rb;开路;RB;（1）估算IB（ UBE ?0.7V);（2）估算UCE、IC;例：用估算法计算静态工作点。;1.静态工作点——Ui=0时电路的工作状态;Rb;(IB,UBE) 和( IC,UCE )分别对应于输入输出特性曲线上的一个点称为静态工作点。;UCE=VCC–ICRC;三、电路参数对静态工作点的影响;例 2.3.2 设 RB = 38 k?，求 VBB = 0 V、3 V 时的 iC、uCE。;iC ? 0;1. 设输出空载时的图解法 ;;各点波形;2. 放大电路的非线性失真问题;(2)“Q”过高引起饱和失真;(3)“Q”的选择;3.接上负载为RL时的图解法;对交流信号(输入信号ui);交流通路;(2) 交流负载线;交流量ic和uce有如下关系：;IC;直流负载线是用来确定工作点的； 交流负载线是用来画出波形，分析波形失真。;选择工作点的原则：;例 2.3.3 ;;当 ui = 0 uBE = UBEQ iB = IBQ iC = ICQ uCE = UCEQ ;2.4　微变等效电路 分析法;一、建立小信号模型的意义; 当放大电路的输入信号电压很小时，就可以把三极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。;2.4.1 H参数的引出;;h参数的物理意义;小信号作用下b-e间的动态电阻；;2.4.2 H参数小信号模型;1. 模型的简化;简化的h参数等效电路－交流等效模型;2. H参数的确定; (1)电压放大倍数的计算：;负载电阻越小，放大倍数越小。;电路的输入电阻越大，从信号源取得的电流越小，因此一般总是希望得到较大的的输入电阻。;当信号源有内阻时：;所以：;4. 晶体三极管交流分析;;;;;;例 2.4.2 ? = 100，uS = 10sin ?t (mV)，求叠加在 “Q” 点上的各交流量。;[解];;④ 分析各极交流量;2.5.1 单管共射放大电路存在的问题;当环境温度升高时;;;“Q”过高引起饱和失真; 2.5.2 电路组成及稳定静态工作点的原理; + UBEQ ? ; 若电路调整适当，可以使ICQ基本不变。 ; 2.5.3 静态分析;;一、画出放大电路的微变等效电路;2.画出放大电路的微变等效电路;二、计算动态性能指标;;;uo在RE两端的电压可以忽略不计，因此Ro≈Rc 。;;例 ? = 100，RS= 1 k?，RB1= 62 k?，RB2= 20 k?, RC= 3 k?，RE = 1.5 k?，RL= 5.6 k?，VCC = 15 V。 求：“Q”，Au，Ri，Ro。;;小 结;2.6　共集电极放大电路 -射极输出器、射极跟随器;IBQ;2.6.2 性能指标分析;电压放大倍数：;输出电阻：;i = iRE – ib – ? ib;例 2.6.1 ? =120，RB = 300 k?，r?bb= 200