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第二章 晶体中的点缺陷; 错位 本征缺陷 空位 点缺陷 填隙 杂质缺陷 填隙 取代;2.1 缺陷的符号;缺陷的有效电荷（b） 缺陷中的电荷减去理想晶体中该位置的电荷 × 表示中性 · 表示正电荷 ，表示负电荷 如:NaCl?中含有少量CaCl2 正常： NaNa× Cl?Cl× 空位： VNa， Vcl. 间隙： Nai· Cli， 取代： CaNa· ;对共价晶体 如Sic含有少量AlN Nc· AlSi， 对单质晶体 有效电荷相当于杂质原子在晶体中除参与共价键外得到的或失去的电子数目。 如：Ge晶体中含少量As;如Ge晶体中含有少量B ;2.2　缺陷的浓度 ;例：纯Si的ρ=2.34g/cm3 ，M=28 ，如果其中含1ppm 的杂质缺陷As5+，杂质的浓度可以表示为： 　　 [AsSi.]G=1×10-6 ;2.3 本征缺陷;一些晶体中占优势的缺陷 ;2.4 杂质缺陷 一些基本概念 1)简单置换 ;3)形成正离子空位的置换 ;6)出现负离子填隙的置换;有时通过x射线衍射可以区别空位型还是间隙型;2.5 施主与受主;2.5.1 取代杂质缺陷;b.价电子少的杂质取代价电子多的组成原子，生成受主杂质缺陷（p型半导体） 例：Ge:B ZnS:Ag;2.5.2 间隙缺陷;2.5.3 空位缺陷;Ge:As AsGe× AsGe? + e，;Ge:B BGe× BGe， + h? ;Ge:Te TeGe× TeGe? + e， TeGe? TeGe?? + e，;Ge:Zn ZnGe× ZnGe， + h? ZnGe， ZnGe,, + h?;2.7 点缺陷与氧分压 ; Fe2+ + h? → Fe3+ Fe1-xO = Fe2+1-3xFe3+2xO Fe2+1-3xFe3+2x(VFe〞)xO FeO有缺陷: VFe〞 FeFe? ;b. 阴离子缺位型化合物  CeO2-x ThO2-x ZrO2-x TiO2-x ...;c. 间隙缺陷化合物 ;2.8 点缺陷的缔合 ; 缔合缺陷吸收一定波长的光形成颜色，这个缔合缺陷叫色中心(色心) 。 碱金属卤化物中常见的色心 色心名称 形成 符号 α心 阴离子空位 Vx. F 心 阴离子空位缔合空位电子 [Vx.+e,] F，心 F心缔合电子 [Vx.+2e,] V1 心 阳离子空位缔合空穴 [VM,+h.] V2 心 两个V1心缔合 [2VM,