第5章_MEMS工艺课题.pptVIP

第九章MEMS工艺——表面硅加工技术;典型微加工工艺;二、表面微加工技术;表面微加工过程特点： 添加——图形——去除 添加：薄膜沉积技术 图形：光刻 去除：腐蚀技术 表面微加工和IC工艺的区别：形成机械结构！ ;硅表面微机械加工是微机械器件完全制作在晶片表面而不穿透晶片表面的一种加工技术。 一般来讲，微机械结构常用薄膜材料层来制作，常用的薄膜层材料有：多晶硅、氮化硅、氧化硅、磷硅酸盐玻璃(PSG)、硼硅酸玻璃(BSG)和金属。 ;表面微加工;基本概念;MEMS 器件的加工;体硅与表面微机械技术的比较;牺牲层技术;典型牺牲层腐蚀工艺;表面微加工中的力学问题;界面应力;2.残余应力 在微机械加工中是固有的 ;3.存在于薄膜结构中本身的应力 由微加工过程中原子结构局部变化产生的 例如，过量掺杂会导致结构在表面微加工后产生很大的残余应力 ;粘??;解决方法;表面微机械加工的特点;利用牺牲层制造硅梁的过程;B、局部氧化生成SiO2;C、淀积多晶硅并刻微梁;D、横向腐蚀形成空腔;多层表面工艺 ;1）、多晶硅材料的主要特点;多晶硅材料的主要特点;多晶硅材料的主要特点;多晶硅材料的主要特点;2）多晶硅的淀积;2、二氧化硅;如果掺入硼，那就叫做硼硅玻璃或BSG；如果在玻璃中掺入磷和硼的混合物，则常称为BPSG或低温氧化物（LTO），它具有良好的低温回流特性，可使高深宽比表面结构“光洁化”或平面化。 在IC工艺中，SiO2是一种多用途的基本材料，它通过热氧化生长和为满足不同要求采用不同工艺淀积获得。 ;在多晶硅表面微机械中，SiO2的应用主要是作为牺牲层材料，另一个用途是作为多晶硅厚膜图形的刻蚀掩模，或者作为传感器自身结构的一部分。 二氧化硅在较大的波长范围内具有透光性，这使它在许多微机械光学器件中得到应用;不同淀积方法生成的二氧化硅性质表;3、氮化硅;Si3N4在可见光区透明，在近中红外波段，它有一定的吸收性，此时其光波能量损失较大，但在许可范围之内。 由于氮化硅的折射率与二氧化硅不同，两种材料匹配可以用来作增透膜、介质反射器和滤波器; LPCVD和PECVD氮化硅性质比较表 ;氮化硅是一种不活泼的致密材料，它的腐蚀较为困难，而且与生长技术有关。HF虽能腐蚀，但即使在高温时腐蚀速率还是很慢，以至于光刻胶在腐蚀过程中受到破坏。 氮化硅也常做二氧化硅的覆盖层，但此时不能用HF腐蚀，因为他们能迅速溶解二氧化硅，从而造成严重的钻蚀。;4、碳化硅;由于它极高的抗腐蚀和良好的机械特性，碳化硅可应用在许多微机械加工中 。 可以用来制造能在HF中连续工作的电化学传感器，也可以用来制造输送侵蚀性化学物质的密封液体管道，保护带有连接金属线的标准硅压力传感器，还可以用作玻璃的腐蚀掩膜。 ;5、磷硅玻璃PSG;8、金属薄膜的微机械加工 ;第九章MEMS工艺——体硅微加工工艺（腐蚀）;内容;腐蚀工艺简介;大部分的微加工工艺基于“Top-Down”的加工思想。 “Top-Down”加工思想：通过去掉多余材料的方法，实现结构的加工。（雕刻——泥人）;腐蚀工艺作用 掩模图形生成 台阶结构生成 衬底去除 牺牲层去除 清洁表面 ;硅腐蚀方法：干法和湿法 腐蚀方向选择性：各向同性和各向异性 腐蚀材料选择性： 选择性刻蚀或非选择性刻蚀 选择方法：晶向和掩模 多种腐蚀技术的应用：体硅工艺（三维技术），表面硅工艺（准三维技术） ;湿法腐蚀;湿法腐蚀——方向性;各向异性腐蚀和各向同性腐蚀;硅的各向异性腐蚀;各向异性腐蚀的特点： 腐蚀速率比各项同性腐蚀慢，速率仅能达到1um/min 腐蚀速率受温度影响 在腐蚀过程中需要将温度升高到100℃左右，从而影响到许多光刻胶的使用;各向异性腐蚀液;1. KOH system;1.KOH system;2、N2H4 （联氨、无水肼）;3、TMAH ;硅和硅氧化物典型的腐蚀速率 ;影响腐蚀质量因素;各向同性腐蚀;优点： 无尖角， 较低应力 刻蚀速度快 可用光刻胶掩膜;三、自停止腐蚀技术;（1） 重掺杂自停止腐蚀(KOH和EDP：5?1013/cm3) （2）(111)面停止 （3） 时间控制 （4）P-N结自停止腐蚀 （5）电化学自停止腐蚀;自停止腐蚀典型工艺流程;1、薄膜自停止腐蚀;2 、重掺杂自停止腐蚀技术;高掺杂硼有两个缺点： 与标准的CMOS工艺不兼容 导致高应力，使得材料易碎或弯曲 重掺杂硼的硅腐蚀自停止效应比重掺杂磷的硅明显，所以工艺中常采用硼重掺杂硅作为硅腐蚀的自停止材料。;重掺杂自停止腐蚀工艺流程;3、（111）面自停止腐蚀;（111）面自停止腐蚀工艺流程;4、电化学自停止腐蚀; 湿法腐蚀的缺点：图形受晶向限制，深宽比较差，倾斜侧壁，小结构粘附。 ;干法刻蚀的优点： 具有分辨率高、各向异性腐蚀能力强、腐蚀的选择比大