微电子器件(3-10)程序.ppt

* 3.10 功率增益和最高振荡频率 3.10.1 高频功率增益与高频优值 利用上一节得到的共发射极高频小信号 T 形等效电路，可以求出晶体管的高频功率增益。先对等效电路进行简化。 与 re 并联的 Cπ可略去，又因 re rbb’ ，re 可近似为短路。 再来简化 , 可见，Zc 相当于电阻 和电容 CTC 的并联。 于是原 T 形等效电路 经简化，并接上共轭匹配负载后，成为 当负载阻抗 ZL 等于 Zc 的共轭复数 Zc* 时，可得到最大输出功率。这时电流源 的电流中有一半流经负载。 可见， ，信号频率每加倍，Kpmax 降到 1/4 ，或下降 6 分贝。 定义：功率增益与频率平方的乘积称为 高频优值，记为 M 高频优值也称为 功率增益-带宽乘积，是综合衡量晶体管的功率 放大能力与 频率 特性的重要参数。 于是可得 最大功率增益 为 定义：当 Kpmax 下降到 1 时的频率 ，称为 最高振荡频率 ，记为 fM 。 令 ，可得 3.10.2 最高振荡频率 在高频下，有时需要考虑发射极引线的寄生电感 Le 的影响。 这时 Kpmax 、fM 和 M 分别成为 由 可知，要提高 M ，应提高 fT ，降低 rbb’ 和 CTC ，因此应该采用由平面工艺制成的硅 NPN 管，并采用细线条的多基极条和多发射极条结构。 3.10.3 高频晶体管的结构 S E E B B B l ….… 提高 M 的各项具体措施及其副作用 要使 rbb’↓，应： (1) l↑ ( 因 ) (2) s↓ ( 因 ，但受工艺水平限制 ) (3) R口B↓ ① NB↑(但使β↓，CTE↑，BVEBO↓) ② WB↑(但使 ?b↑，β↓， fT↓) 要使 CTC↓，应： (1) AC↓ ( l↓, s↓) (2) NC↓ ( 但使 ?d↑，rcs↑) 可见乘积 rbb’CTC 与 l 无关而与 s 2 成正比，所以高频晶体管必须采用细线条。 要使 fT↑，应使 ?ec↓。由于 要使 ?c↓，应： 要使 ?d↓，应：xdc↓ →NC↑( 但会使 BVCBO↓, CTC↑) (1) rcs↓ ① NC↑( 但会使 BVCBO↓, CTC↑) ② 集电区厚度 dc↓ ③ AC↑( 但会使 CTC↑) (2) CTC↓ ① AC↓ ② NC↓( 但会使 rcs↑) 要使 ?eb↓，应： (1) re↓→IE↑(因 ，但受大注入等限制) (2) CTE↓ ① AE↓ ( l↓, s↓ ) ② NB↓( 但会使 rbb’↑，VA↓) 要使 ?b↓，应： (1) WB↓( 但会使 rbb’↑，VA↓，且受工艺限制) (2) η↑ ( 采用平面工艺 ) *