第8章压阻式传感器导论.ppt

* 在低真空室中,将待溅射物制成靶置于阴极,用高压（通常在1000V以上）使气体电离形成等离子体,等离子中的正离子以高能量轰击靶面,使靶材的原子离开靶面,淀积到阳极工作台上的基片上,形成薄膜,如图所示。 溅射 图中,1—靶,2—阴极,3—直流高压,4—阳极,5—基片,6—惰性气体入口,7—接真空系统。 * 化学气相淀积是将有待积淀物质的化合物升华成气体,与另一种气体化合物在一个反应室中进行反应,生成固态的淀积物质,淀积在基底上生成薄膜,如图所示。 化学气相淀积（CVD） 图中,1—反应气体A入口, 2—分子筛, 3—混合器, 4—加热器, 5—反应室, 6—基片, 7—阀门, 8—反应气体B入口 * 2、微细加工技术 微细加工技术是利用硅的异向腐蚀特性和腐蚀速度与掺杂浓度的关系,对硅材料进行精细加工、制作复杂微小的敏感元件的技术。 1) 体型结构腐蚀加工 体型结构腐蚀加工常用化学腐蚀液（湿法）和离子刻蚀（干法）技术（采用惰性气体）。 2)表面腐蚀加工——牺牲层技术 该工艺的特点是利用称为“牺牲层”的分离层,形成各种悬式结构。 * 1）如图(a)、(b)所示,先在单晶硅的（100）晶面生长一层氧化层作为光掩膜,并在其上覆盖光刻胶形成图案,再浸入氢氟酸中,进行氧化层腐蚀； 2）将此片置于各向异性的腐蚀液（如乙二胺＋邻苯二酚＋水）对晶面进行纵向腐蚀,腐蚀出腔体的界面为（111）面,与（100）表面的夹角为54.74°,如图(c)所示。 单晶硅立体结构的腐蚀加工过程 * 利用该工艺制造多晶硅梁的过程： 1）在N型硅（100）基底上淀积一层Si3N4作为多晶硅的绝缘支撑,并刻出窗口,如图(a)所示。利用局部氧化技术在窗口处生成一层SiO2作为牺牲层,如图(b)所示； 2）在SiO2层及余下的Si3N4上生成一层多晶硅膜（PoLy-Si)并刻出微型硅梁,如图(c)所示。腐蚀掉SiO2层形成空腔,即可得到桥式硅梁,如图(d)所示。另外,在腐蚀SiO2层前先溅铝,刻出铝压焊块,以便引线。 表面腐蚀加工——牺牲层技术形成硅梁过程 * 图(a)为方形平膜片结构,除用于压力传感器外,亦可用于电容式传感器。图(b)为悬臂梁结构,可用于加速度传感器。图(c)为桥式结构,图(d)为支撑膜结构,图(e)为E型膜（硬中心）结构,这些都是常用于应变式传感器的结构。 微型硅应变式传感器的一些基本结构 上一页 返 回 下一页 （1）体型半导体电阻应变片 1. 结构型式及特点 2. 测量电路 1. 结构型式及特点 主要优点是灵敏系数比金属电阻应变片的灵敏系数大数十倍 横向效应和机械滞后极小 温度稳定性和线性度比金属电阻应变片差得多 上一页 返 回 下一页 体型半导体应变片的结构形式 1-P型单晶硅条 2-内引线 3-焊接电极 4-外引线 对于恒压源电桥电路，考虑到环境温度变化的 影响，其关系式为： 2. 测量电路 恒压源 恒流源 电桥输出电压与ΔR / R成正比，输出电压受环境温度的影响。R为应变片阻值， ΔR为应变片阻值变化， ΔRt为环境温度变化受环境温度引起阻值的变化 电桥输出电压与ΔR成正比，环境温度的变化对其没有影响。 上一页 返 回 下一页 （2） 扩散型压阻式压力传感器 压阻式压力传感器结构简图 1—低压腔 2—高压腔 3—硅杯 4—引线 5—硅膜片 采用N型单晶硅为传感器的弹性元件， 在它上面直接蒸镀半导体电阻应变薄膜 上一页 返 回 下一页 工作原理： 膜片两边存在压力差时，膜片产生变形，膜片上各点产生应力。 四个电阻在应力作用下，阻值发生变化，电桥失去平衡， 输出相应的电压，电压与膜片两边的压力差成正比。 四个电阻的配置位置： 按膜片上径向应力σr和切向应力σt的分布情况确定。 设计时，适当安排电阻的位置，可以组成差动电桥。 上一页 返 回 下一页 扩散型压阻式压力传感器 特点 优点: 体积小，结构比较简单，动态响应也好，灵敏度高，能测出十几帕的微压，长期稳定性好，滞后和蠕变小，频率响应高，便于生产，成本低。 测量准确度受到非线性和温度的影响。智能压阻式压力传感器利用微处理器对非线性和温度进行补偿。 上一页 返 回 下一页 （3） 测量桥路及温度补偿 由于制造、温度影响等原因，电桥存在失调、零位温漂、灵敏度温度系数和非线性等问题，影响传感器的准确性。 减少与补偿误差措施 1. 测量电桥 2. 零点温度补偿 3. 灵敏度温度补偿 上一页 返 回 下一页 1. 测量电桥 恒流源供电的全桥差动电路 假设ΔRT为温度引起的电阻变化 电桥的输出为 电桥的