第10章模拟集成电路中的特殊元件导论.ppt

第十章 模拟集成电路中的特殊元件 内容提要 模拟IC的发展简史 特殊元件的结构、性能特点、使用场合 一．概念 具有对各种模拟量进行处理功能的集成电路，包括了数字电路以外的所有集成电路。 二．分类 线性电路： 输出信号与输入信号之间存在线性 关系，如运放，电压跟随器，放大 器等； 非线性电路： 如乘法器，比较器，稳压器，调制 器，对数放大器等。 三．特点 ①品种多，线路复杂，重复单元少； ②电源电压高（12V）； ③工艺复杂，精度要求高。 四．发展概况 继数字电路之后，六十年代中期开始迅速发展，由于最初产品基本上局限于放大器，故称之为线性电路，后来出现了许多新品种，超出了线路电路的范畴，没有归属，于是，1967年国际电器委员会（IEC）正式提出了模拟集成电路的概念。 以运放为例： 四十年代：电子管运放，用于计算机中，进 行各种数学运算，运放由此得 名。 五十年代：双极型晶体管运放。 六十年代：单片集成运放出现。 原始型：uA702为代表， 标志：电阻负载； 第一代：uA709为代表， 标志：横向PNP管； 七十年代： 第二代： uA741为代表 标志：有源负载； 第三代： MC1556为代表 标志：超β管 八十年代： 第四代： MA2900为代表 标志：双极、MOS结合， 斩波稳零技术。 §10-1 横向PNP管 一．典型结构及制造工艺 在n型外延层上，同时完成发射极和集电极的硼扩散，然后磷扩散给出基区引线孔，蒸铝，反刻。 由于射区注入的少子在基区中沿衬底平行的方向流动，故称横向管。 二．电学特性： 1．电流增益： 从横向PNP管的结构可知，横向PNP管存在两个寄生纵向PNP管。 当横向PNP管正向有源时： 这样： 射区-基区-衬底寄生纵向PNP管正向有源； 集电区-基区-衬底寄生管反向截止。 由于存在寄生晶体管，严重地影响到横向PNP管的电学特性，这也是它质量不高的一个重要原因。 下面采用简化模型分析横向PNP管的HFE 。 假设： ①发射区均匀掺杂，即均匀注入； ②忽略n+埋层上推形成的漂移场影响； ③横向及纵向基区宽度均小于空穴扩散长度。 利用： 可得： 式中：AX 、AY发射结横向（纵向）面积； Wbx、 WbY横（纵）向基区宽度； WeY为发射结纵向深； WeX为发射极引线孔到发射区边距离。 当纵向寄生管基区宽度WBYLPB时 按照一般的设计数据：计算值 β10 事实上，按照上述设计数据制作的横向PNP管，其实际放大倍数要大得多，目前国内水平一般在50以内，国外约为100。 偏差的原因： 1、发射区非均匀注入； 2、n+ 隐埋层上推形成对少子（空 穴）纵向的阻滞区，减小了寄 生纵向管的作用。 提高β的途径： 1、横向结面积尽可能大，纵向结面积尽可能 小（取决于图形设计及结深设计）； 2、射