2.3补充l光波在电光晶体中的传播研讨.pptVIP

三、折射率椭球的形变 结论：（ ） 坐标系绕 z 轴转 ，该角度与电场大小无关； 折射率变化的大小是外场的函数； 等值反号，单轴晶体变为双轴晶体。 三、折射率椭球的形变 四、电光相位延迟 实际应用中，电光晶体总是沿着相对光轴的某些特殊方向切割而成的，而且外电场也是沿着某一主轴方向加到晶体上，常用的有两种方式： 一种是电场方向与光束在晶体中的传播方向一致，称为纵向电光效应； 另一种是电场与光束在晶体中的传播方向垂直，称为横向电光效应。 四、电光相位延迟 (1)纵向应用 仍以KDP类晶体为例，沿晶体z轴加电场，光波沿z方向传播。 其双折射特性取决于椭球与垂直于z轴的平面相交所形成的椭圆： V x? z y? 入射光 θ y y? x x? 四、电光相位延迟 当入射沿x方向偏振，进入晶体（z=0）后即分解为沿x?和y?方向的两个垂直偏振分量。 它们在晶体内传播L光程分别为nx?L和ny?L，这样，两偏振分量的相位延迟分别为 四、电光相位延迟 当这两个光波穿过晶体后将产生一个相位差 这个相位延迟完全是由电光效应造成的双折射引起的，所以称为电光相位延迟。 当电光晶体和传播的光波长确定后，相位差的变化仅取决于外加电压，即只要改变电压，就能使相位成比例地变化。 四、电光相位延迟 当光波的两个垂直分量Ex?，Ey?的光程差为半个波长（相应的相位差为?）时所需要加的电压，称为“半波电压”，通常以V?或V?/2。表示。 半波电压是表征电光晶体性能的一个重要参数，这个电压越小越好，特别是在宽频带高频率情况下，半波电压越小，需要的调制功率就越小。 四、电光相位延迟 根据上述分析可知，一般情况下，出射的合成振动是椭圆偏振光 当晶体上未加电场， 此为一直线方程，表示通过晶体后的合成光仍然是线偏振光，且与入射光的偏振方向一致，这种情况晶体相当于一个“全波片”的作用。 四、电光相位延迟 当晶体上加电压V=V?/2， 这是一个正椭圆方程，说明通过晶体的的合成光为椭圆偏振光。当A1=A2时，其合成光就变成一个圆偏振光，相当于一个“1/4波片”的作用。 四、电光相位延迟 外加电压V=V?， 合成光为线偏振光，但偏振方向相对于入射光旋转了一个2?角（若?=45?，即旋转了90?，沿着y方向），晶体起到一个“半波片”的作用。 四、电光相位延迟 综上所述，设一束线偏振光垂直于x?y?面入射，且沿x轴方向振动，它刚进入晶体（x=0）即可分解为相互垂直的x?，y?两个偏振分量，传播距离L后 四、电光相位延迟 y x -y? x? z y? x? Ex? Ey? a b c d e f g h i ??=0 ??=?/2 ??=? 纵向运用KDP晶体中光波的偏振态的变化 四、电光相位延迟 (2)横向应用 如果沿z向加电场，光束传播方向垂直于z轴并与y（或x）轴成45?角，这种运用方式一般采用45??z切割晶体，如图。 设光波垂直于x??z平面入射，E矢量与z轴成45?角，进入晶体（y?=0）后即分解为沿x?和z方向的两个垂直偏振分量。相应的折射率分别为 L 入射光 V d z y? x? 四、电光相位延迟 传播距离L后 四、电光相位延迟 因此，这两个光波穿过晶体后将产生一个相位差 四、电光相位延迟 比较KDP晶体的纵向运用和横向运用两种情况，可以得到如下两点结论： 第一，横向运用时，存在自然双折射产生的固有相位延迟，它们和外加电场无关。表明在没有外加电场时，入射光的两个偏振分量通过晶体后，其偏振面已转过了一个角度，这对光调制器等应用不利，应设法消除。 第二，横向运用时，无论采用那种方式，总的相位延迟不仅与所加电压成正比，而且晶体的长宽比(L/d)有关。而纵向应用时，相位差只和V=EzL有关。因此，增大L或减小d，就可大大降低半波电压。 四、电光相位延迟 例如，在z向加电场的横向运用中，略去自然双折射的影响，求得半波电压为 可见(L/d)越小，V?就越小，这是横向运用的优点。 四、电光相位延迟 * 第十一讲 电光效应 一、电场作用下材料的非线性极化 二、电光系数张量 三、折射率椭球的形变 四、电光相位延迟 电光效应：介质在外加直流或低频电场作用下出现的光学特性（各向异性）改变 第十一讲 电光效应 * 一、电场作用下材料的非线性极化 介质受光频电场（入射光场）和射频电场（外加电场，低频或直流）的共同作用，应同时考虑电子的受迫振动和离子的受迫振动