- 1、本文档共20页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
366典型线阵CCD
3-6-6 典型线阵CCD 一、TCD1209D的基本结构 二、 TCD1209D的基本工作原理 TCD1209D的驱动脉冲波形图如图所示。 三、 TCD1209D的特性参数 四、 TCD1209D的驱动电路 五、 TCD1209D的外形尺寸 典型双沟道线阵CCD器件 目前最具有典型性的双沟道器件为TCD1206SUP, 广泛应用于物体外形尺寸的非接触自动测量领域, 是一种较为理想的一维光电探测器件。 几何尺寸: 二、 TCDl206SUP的驱动电路 三、 TCDl206SUP的驱动电路 四、 TCDl206SUP的特点 4.温度特性 五、 TCD1206SUP的特性参数 * * 典型单沟道线阵CCD 本节将讨论典型的单沟道线阵CCD器件TCD1209D的基本结构、工作原理、驱动电路及其特性参数。 TCDl209D为典型的二相单沟道型线阵CCD图像传感器,其基本结构、工作原理及驱动电路等都具有典型性。 TCD1209D是一种性能优良的线阵CCD器件。它具有速度快,灵敏度高,动态范围宽,像敏单元不均匀性好,功耗低,光谱响应范围宽等优点的器件。 1.光谱响应特性 光谱响应的峰值波长为550nm 短波响应在400 nm处大于70% 光谱响应的长波限在1100nm 2. 灵敏度 线阵CCD的灵敏度参数定义为单位曝光量的作用下器件的输出信号电压,即 式中的UO为线阵CCD输出的信号电压,HV光敏面上的曝光量。 TCD1209D的饱和曝光量SE仅为0.06(lx.s)。 3. 动态范围 动态范围参数DR定义为饱和曝光量与信噪比等于1时的曝光量之比。但是,这种定义的方式不容易计量,为此常采用饱和输出电压与暗信号电压之比代替。这样,动态范围DR为 式中为CCD的饱和输出电压,为CCD没有光照射时的输出电压(暗信号电压)。 显然,降低暗信号电压是提高动态范围的最好方法。动态范围越高的器件品质越高。 由TCD1209D驱动脉冲波形图中可以看出, TCD1209D的驱动器应产 生SH、CR1、CR2、RS、CP等5路脉冲。其中转移脉的周期远远大于其它4路脉冲的周期。 TCD1209D为DIP22封装形式的双列直插型器件, 外形尺寸: 器件的外形尺寸为总长41.6mm,宽10.16mm,高7.7mm;器件的光敏单元总长为28.672mm; 光敏单元(像敏面)距离器件表面玻璃的距离为1.72mm,表面玻璃的厚度为0.7±0.1 mm。 光敏单元的尺寸为:14μm×14μm, 中心距亦为14μm,光敏元数:2160 阵列总长为30.24mm。 被测物 重叠部分 一、 TCD1206SUP的基本结构 TCD1206SUP的驱动脉冲: 经反向驱动器74HC04P反向后加到TCD1206SUP的相应管脚上。 输出OS信号及DOS信号。 OS:有效光电信号,DOS:补偿信号。 1.驱动简便 2.灵敏度高 3.光谱响应 λm为550nm,与人眼的光谱响应峰值波长很接近。 5.积分时间与暗电压的变化关系 TCD1206SUP的特性参数 参 数 名 称 符 号 最小值 典型值 最大值 计量单位 备 注 响应 R 33 45 56 V/lx·s 对于发光二极管(660nm)光源的响应为600 V/lx·s 像敏单元不均匀性 PRNU ? ? 10 % ? 饱和输出电压 USAT 1.5 1.7 ? V ? 饱和曝光量 SE ? 0.037 ? lx·s 暗信号电压 UMDK ? 1 2 mV 所有有效像素单元暗信号的最大值 暗信号不均匀性 DSNU ? 2 3 mV ? 直流功率损耗 PD ? 140 180 mW ? 总传输效率 TTL 92 ? ? % ? 输出阻抗 ZO ? ? 1 kΩ ? 动态范围 DR ? 1700 ? ? 直流信号输出电压 UOS 4.5 5.5 7 V ? 直流参考输出电压 UDOS 4.5 5.5 7 V ? 直流失调电压 ? 20 ? mV ? 7 .0 V 5.5 4.5 VOS 直流信号输出电压 1.0 k
您可能关注的文档
- 3.EconomicDevelopment(词汇).doc
- 小学六年级应用题易错题难题集锦.doc
- 3.5.18.2原子的核式结构模型.ppt
- 小学六年级应用题集锦1.doc
- 小学六年级总复习数学易错题.doc
- 小学六年级总复习级毕业考试.doc
- 3.[已上传]听云移动应用性能揭秘.ppt
- 小学六年级排球正面垫球教学设计.doc
- (人美版)一年级美术上册课件画汽车1.ppt
- 3.8太阳能风能发电技术与LED照明的结合应用.ppt
- 小学科学:ESP8266智能插座电路原理与动手实践研究教学研究课题报告.docx
- 《金融开放浪潮下我国多层次监管体系构建与创新研究》教学研究课题报告.docx
- 区域教育质量监测中人工智能应用的数据质量分析与优化策略教学研究课题报告.docx
- 《金融科技监管中的数据治理与合规性要求》教学研究课题报告.docx
- 《3D打印技术在航空航天领域中的多材料制造与复合材料应用》教学研究课题报告.docx
- 《绿色金融发展中的政府职能与市场机制研究》教学研究课题报告.docx
- 《植物工厂多层立体栽培光环境调控技术对植物生长发育节律的调控机制探讨》教学研究课题报告.docx
- 销售团队年度业绩总结.docx
- 银行风险管理与金融危机防范.docx
- 银行网络攻击预警与快速响应机制.docx
最近下载
- 2022医院医疗机构开展违反中央八项规定精神突出问题专项治理的实施方案(详细版).pdf VIP
- 半导体工艺炉的炉门及半导体工艺炉.pdf VIP
- 测绘行业安全生产汇报.pptx VIP
- 半导体后端工艺半导体封装的作用、工艺和演变.docx VIP
- 半导体工艺原理--半导体工艺原理(贵州大学).ppt VIP
- 麦肯锡中国银行业CEO季刊(2020年秋)-麦肯锡-224页正式版.pdf VIP
- 走进潮汕文化ppt课件(优质ppt).pptx
- DG_TJ 08-2439-2024 建筑工程“多测合一”技术标准(正式版).pdf VIP
- Camera客观标准测试.pdf VIP
- 2024年湖北省恩施州恩施市六角亭街道招聘社区工作者真题参考答案详解.docx VIP
文档评论(0)