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实验4-5电光调制器特性的测试
实验背景
外场对晶体宏观性质的影响,主要反映在晶体的折射率的变化上,这种变化虽小,但足以改变光在晶体中传播的许多特性,因而可以达到利用外场来控制光的传播方向、位相、强度、偏振态等,从而使输出光成为可利用的讯号光。
实验原理—电光效应
晶体的折射率因外加场而发生变化的现象为电光效应。
式中a和b为常数, 为E0=0时的折射率。由一次项aE0引起折射率变化的效应,称为一次电光效应,也称线性电光效应或普克尔电光效应(pokells);由二次项引起折射率变化的效应,称为二次电光效应,也称平方电光效应或克尔效应(kerr)。外电场可以是直流场或交变场,频率可高达超高频或微波的范围。
实验原理—电光效应
实验原理--折射率椭球
折射率椭球(习惯称光率体)是描述晶体光学性质常用的示性面,在各向异性介质的主轴坐标系中,光率体用下式描述:
式中n1 、n2 、n3为该光率体在主轴方向上的折射率,称为主折射率
实验原理—光的干涉
在晶体的光学性质研究和应用电光效应时,经常要使用两个偏光镜,一个偏光镜用于产生线偏振光,称为起偏镜,另一个偏光镜称检偏镜或分析镜,它可使具有一定光程差的两个相干的线偏振光在同一个平面内振动,引起干涉而产生强度的变化。
当检偏镜和起偏镜偏振方向互相垂直时,有下图
实验原理—线性电光系数
实验原理—线性电光系数
可以看出,沿X1方向加电场后,折射率椭球绕X2轴与X3轴都有旋转。光率体在X1X2平面内转了45度,在X‘1和X’2方向上主折射率为:
这种折射率椭球的变化(变形)必然造成光沿某一方向传播时双折射性能的变化,而这种变化与外加电场直接相关,这就是电光效应应用于实现光调制的基础。
实验原理—电光调制器
电光调制器:如下图为横向电光调制器的实验原理实验图:
实验原理—电光调制器
当入射光沿着c方向射入晶体时,加上外电场E1通过检偏镜P2的两光波是同频率、等振幅、振动在同一方向的两个相干光。被调制光强I与输入光强I0之间用下式表示:
为半波电压
如下图为在电光调制晶体上加直流电压与被调制光强的关系曲线
实验原理—电光调制器
(1)VDC=0,VAC=V0sinwt,输出光强只有调制信号的偶次谐波。
(2)0VDCVπ/2,VAC=V0sinwt,此时产生严重失真;
实验原理—电光调制器
(3)VDC=Vπ/2(相位差为90度),VAC=V0sinwt,此时的被强制光强公式为
实验装置
主要仪器装置有:电光调制器、He-Ne激光器、直流交流电源、双踪示波器、光探测器、检流计、起偏镜、检偏镜、减光镜、λ/4波片等。
本实验所用电光调制晶体为LiNbO3,为3m点群,负单轴晶体,o光折射率为2.286, e光折射率为2.200,He-Ne激光器波长为λ=632.8nm,电光调制晶体的L=23mm,D=2.5mm。
实验内容
1、调整光路:
用检验光栏验证激光束与光具座的中心是否平行,调节光探测器的位置,使激光束进入光探测器,然后加上遮光筒,降低室内散射光对测量的影响。
2、使 ,测 :
调整检偏镜的相对位置,使检偏镜方向平行于起偏镜方向,测出输出光强。
3、使 ,调光轴使其平行于激光束,测 :
调检偏镜的相对位置,使检偏镜方向垂直于起偏镜方向,调节光轴使其平行于激光束,测得输出光强即为最小光强。未加外场时,测得静态消光比。
4、加 ,测 :
在 状态下,加直流偏压 ,直流偏压为零时,测得最小输出光强,直流偏压为半波电压时,测得最大输出光强,计算动态消光比。
5、绘制 关系曲线:
直流偏压为零起,不断改变其数值,记录I的数据,绘制关系曲线即工作曲线。绘图时,注意误差的应用,使曲线平滑。
6、在电光调制器上再加 ,观察调制光强的变化加上交流电压后,利用双踪示波器观察调制光强的变化情况。连接示意图为:
分三种情形观察,并给出合理解释;
7、在电光调制晶体前加一个1/4波片,使VDC=0,改变
VAC,观察调制光强的变化情形;
8、实验结束整理仪器。
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