LED-讲课研讨.pptVIP

一.LED是怎样炼成的 1.单晶晶片（蓝宝石衬底） 2.外延 3.芯片 4.封装 二.LED的发光原理 1.PN结 2.光取出原理 3.白光的形成 三.LED的光学设计 1.单晶晶片的加工工艺 1.蓝宝石(LED衬底-Al2O3 ) 用于GaN生长最普遍的衬底是Al2O3 。其晶体结构为六方晶格结构. 光学穿透带很宽, （透光性好）高声速、耐高温、抗腐蚀、高硬度、高透光性、熔点高（2045℃）等特点，它是一种相当难加工的材料。蓝宝石C面与Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族沉积薄膜之间的晶格常数失配率小，同时符合GaN 磊晶制程中耐高温的要求，使得蓝宝石晶片成为制作白/蓝/绿光LED的关键材料. 蓝宝石衬底加工流程 蓝宝石基片的原材料是晶棒,晶棒由蓝宝石晶体加工而成.其相关制造流程如下: 蓝宝石晶体 晶棒 晶棒 基片 蓝宝石基片制造工艺流程 晶棒 基片 定向:在切片机上准确定位蓝宝石晶棒的位置,以便于精准切片加工 切片:将蓝宝石晶棒切成薄薄的晶片 研磨:去除切片时造成的晶片切割损伤层及改善晶片的平坦度 倒角:将晶片边缘修整成圆弧状,改善薄片边缘的机械强度,避免应力集中造成缺陷 抛光:改善晶片粗糙度,使其表面达到外延片磊晶级的精度 清洗:清除晶片表面的污染物(如:微尘颗粒,金属,有机玷污物等) 品检:以高精密检测仪器检验晶片品质(平坦度,表面微尘颗粒等),以合乎客户要求 2.外延片的加工工艺 1.金属有机物化学气相沉积-- MOCVD法 MOCVD是以Ⅲ族(Al,Ga)、Ⅱ(Mg)族元素的有机化合物和V(Si)、Ⅵ(P)族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。 3.芯片的加工工艺 ? 外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→幹法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→視窗圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→晶片→成品測試 Epitaxy外延?mask?deposition?掩膜沉积 ?photoresist?coating??光刻胶 photo?lithograph光刻???etching??刻蚀? Lift-off?剥离??pad?焊盘?lapping?研磨抛光?probing?探测???Screening筛选scriber?and?breaker??划片?裂片 第一步 清洗 第二步n区光刻 去胶 p电极蒸发 P电极光刻 P电极腐蚀 去胶 P电极合金 N电极光刻 N电极蒸发 N剥离 N退火 P压焊点光刻 P压焊点蒸发 P压焊点剥离 钝化层沉积 钝化层光刻 钝化层刻蚀 钝化层去胶 中道终测检验 减薄 扩膜 划片,裂片工作流程图 测试分检 4.封装 1. 配齐生产所需要的原料 2.点银胶 固晶片 3. 焊接金线 4. 点荧光粉 5. 封盖、点胶 6. 对所生产出来的产品进行检测 7. 分类包装、发货 二.LED的发光原理 1.PN结 直接带隙材料：导带最低点与价带最高点在同一K空间，电子和空穴可以有效的再复合而发光。间接带隙材料发光需要声子的配合。 2.光取出原理 电光转换效率(Wall-plug Efficiency， )：即辐射发光效率，是光的输出功率于输入电流功率之比。 Cex：光取出效率， 为电压效率。 为内量子效率。 ：减少电阻及电压与临界电流； 3.白光的形成 1.蓝色LED+荧光粉 2.近紫外LED+荧光份 ?3.红绿蓝光LED 三.LED的光学设计 1.设计步骤 Step1. 根据所需求算出最少需要LED光通量. Step2. 根据目标求出LED与目标平面的映射关系 Step3. 利用折射定律，求出(x,y,z) (matlab) Step4. 用solidworks画出透镜，LED模型 Step5. 用tracepro仿真 Step6. 根据模拟结果进行优化，(返回Step2)直到满足要求 O2 N2 气体，功率 丙酮 划片前晶片背面 划