第8章-动态及准静态电路研讨.pptVIP

第八章 动态及准静态MOS电路 内容提要 动态电路的基本概念 动态MOS倒相器 动态MOS电路 前面我们所分析的各种MOS电路都属于静态电路，其特点是： 1：可在低频及直流下工作，逻辑结果可长期稳定地保持； 2：电路形式与双极型电路类似； 3：各种复杂电路可分解为以倒相器为基础的单元电路。 静态MOS电路的弱点是： 1：不工作时，静态功耗不为零； 2：对E/E MOS电路来说，由于是有比电 路，集成度不高，速度较低； 3：电路形式复杂。 基于静态电路的这些缺点，立足于MOS管的栅电容存贮效应，派生了MOS逻辑电路的一大分支，动态和准静态电路。其显著优点是：电路形式可以大大简化，有利于集成度及速度的提高 §8-1 栅电容的电荷存贮效应 MOS管的输入栅极具有两个重要的特点： a：具有较小的栅电容CGS，一般为零点几pf b：具有极高的输入阻抗RGS，一般大于1010。 当外加一电平于栅极时，由于CGS很小，可以很快使VGS上升到外加电平； 当外加电平撤除时， CGS通过极大的RGS放电，放电时间常数很长，~ms数量级，也就是说栅电容能够将电荷暂时存贮一段时间，这就是栅电容的电荷存贮效应。 这就是动态MOS电路的基础。 下面我们以图来表示： 起始状态： VGS=0 V0=1 当t=t0时，K闭合：VGS=Vi=1 V0=0 当t=t1时，K断开：VGS=Vi=1 V0=0 维持 当t=t2时，VGS通过RGS放电至Vth， V0=1 可见，只要开关短暂闭合，由于栅电容的电荷存贮效应，就能使输入管较长时间的导通，从而使输出在较长时间内保持低电平输出。 通常τ=RGSCGS~ ms，而输入信号的频率一般为μs甚至ns数量级，因此可以认为在感兴趣的信号周期内栅电容存贮的电荷是没有衰减的。 以时钟控制的电子开关代替图中的开关S，则构成了动态MOS倒相器。 §8-2 动态MOS倒相器 根据输出低电平与的关系，动态MOS倒相器也分为有比电路与无比电路两类。 一．动态有比MOS倒相器 1：结构： 在静态有比MOS倒相器的基础上，增加一个由cp控制的门控管，起电子开关的作用。 2：原理 设cp频率很高，在cp的周期内，VCGS无变化。 起始状态：Vi=0 Vcp =0 VGS=0 V0=1； 当t=t0时： Vi =1 由于 Vcp =0 传输门截止， 因此： VGS=0 V0=1 当t=t1时， Vi=1 VCP=1 传输门导通 VGS=1 V0=0 ； 当t=t2时， Vi=1 VCP=0 传输门截止 栅电容存贮效应： VGS=1 V0=0 ； 当t=t3时： Vi=0 VCP =0 栅电容存贮效应： VGS=1 V0=0 当t=t4时： Vi=0 VCP =1 传输门导通 VGS=0 V0=1 3：特点： a：由于 V0 =VOL 时：TI，TL均导通，VOL取 决于βR，故称动态有比MOS倒相器； b：输出具有延时功能。 4：改进： 当cp同时控制门控管及负载管的栅极时，构成低功耗型动态有比MOS倒相器。 设起始：VCP，Vi，VD，V0均为零 t =t0 ：VCP =“0”→“1” Vi=0 T1截止，T2导通，T3导通 VD “0”→“1” V0 “0”→“1” t=