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第二章 电子衍射原理与分析 目录 §2.1 电子衍射基础 §2.1.1 运动电子与物质交互作用 §2.1.2 原子对电子的散射 §2.1.3 单胞对电子的散射 §2.2 倒易点阵 §2.2.1 倒易点阵的提出 §2.2.2 晶面间距与晶面夹角的计算 §2.2.3 正点阵和倒易点阵的指数互换 §2.3 电子衍射原理 §2.3.1 爱瓦尔德作图法 §2.3.2 晶带定律 §2.3.3 偏离矢量与倒易点阵扩展 §2.4 电子衍射花样的标定 §2.4.1 单晶体电子衍射花样的标定 §2.4.2 复合电子衍射花样的标定 §2.4.3 二次衍射斑点 §2.4.4 电子衍射花样的不唯一性 §2.4.5 多晶材料的电子衍射 §2.4.6 非晶态物质衍射 §2.5 影响电子衍射的因素 §2.5.1 电子衍射的误差 §2.5.2 反射球曲率的影响 §2.5.3 晶体取向的影响 §2.5.4 晶体形状对电子衍射的影响 §2.5.5 样品厚度的影响 §2.5.6 微观对称元素的影响 §2.5.7 多次衍射 §2.5.8 晶体缺陷对电子衍射的影响 §2.1.1 运动电子与物质的交互作用 §2.1 电子衍射基础 §2.1.2 原子对电子的散射 根据经典卢瑟福散射理论，原子核和核外电子对入射电子的散射能力，可以用相应的散射截面半径Rc与Re来表示 原子散射因子fe fe(θ)=(me2/2h2)[(Z-fx)/(sinθ/λ)2] 这里fx是原子对X射线的散射因子 （1）计算表明，对低指数反射，原子对电子的散射强度比对 X射线大一万倍以上。对式样厚度要求不同。 （2）散射因子都随散射角的增大而单调下降。 （3）散射因子都随原子序数的增大而增大，但增大趋势fe 不如fx明显。 （4）原子对电子的散射主要取决于原子核。 §2.1.3 单胞对电子的散射 入射波Ko经过散射体A和B的散射后，得到两支散射波，其光程差 衍射波的合成 不同类型晶体点阵结构因子计算 单胞中四个相同原子，其坐标分别为：0 0 0,? ? 0, ? 0 ?, 0 ? ? （3）密排六角hcp 注意 当单胞由不同原子组成的时候，由于原子的散射因子fA≠fB，原来的消光规律有可能改变。 本节重点 (1) 结构因子公式 (2) 结构消光 §2.2 倒易点阵 六角晶系密勒指数（三指数）和密勒－布拉菲（四指数）的互换 本节重点 （1）倒易点阵的性质 （2）六角结构中（hkil)晶面的法线方向 如何计算？ §2.3 电子衍射原理 由衍射方程的作图法可知，衍射花样的特征取决于和反射球面相交的那些倒易阵点的分布。所以电子衍射的几何特征通常是由一个反射球面与倒易点阵相交截出的倒易空间曲面决定。由于晶体样品的点阵单胞参数是确定的，所以它的倒易阵点的空间分布也是确定的，所以与反射球面相交的倒易阵点取决于反射球面曲率的大小 。 对衍射花样的特征有重要影响的因素是入射电子束的波长，它决定了反射球面的曲率，也就影响反射球面与倒易点阵的相对位置。 在高能电子衍射的情况下，100千伏加速电压产生的电子束的波长是0.037埃，反射球的半径是27埃-1。而典型金属晶体低指数晶面间距约为2埃，相应的倒易矢量长度约为0.5埃-1。这就是说，反射球的半径比晶体低指数晶面的倒易矢量长度大50多倍。 在倒易点阵原点附近的低指数倒易阵点范围内，反射球面非常接近平面。电子显微镜的加速电压越高，反射球的半径越大，在倒易点阵原点附近反射球面越接近平面。在反射球面近似为一个平面的情况下，它与三维倒易阵点交截得到的曲面为一个平面，即一个二维倒易点阵平面。在这个倒易平面上的低指数倒易阵点都和反射球面相交，满足衍射方程，产生相应的衍射电子束。所以电子衍射图的几何特征与一个二维倒易点阵平面相同。 零层倒易面 倒易点阵是一个三维点阵，把ghkl·r=0时的倒易面称为零层倒易截面。 当ghkl·r =n时为n阶倒易面。 标准电子衍射花样是标准零层倒易截面的比例图像，倒易阵点的指数就是衍射斑点的指数（即正空间晶面指数）。通过电子衍射花样上任意两个ghkl矢量指数就可求出晶带指数（根据晶带定律）。 §2.3.3 偏离矢量与倒易点阵扩展 倒易点阵因样品晶体的形状和尺寸而扩展 （