第六章 负反馈及放大电路研讨.pptVIP

2. 晶体管的h参数等效模型（交流等效模型） 在交流通路中可将晶体管看成为一个二端口网络，输入回路、输出回路各为一个端口。 低频小信号模型 在低频、小信号作用下的关系式 交流等效模型（按式子画模型） 电阻 无量纲 无量纲 电导 h参数的物理意义 b-e间的 动态电阻 内反馈系数 电流放大系数 c-e间的电导 分清主次，合理近似！什么情况下h12和h22的作用可忽略不计？ 简化的h参数等效电路——交流等效模型 查阅手册 基区体电阻 发射结电阻 发射区体电阻数值小可忽略 利用PN结的电流方程可求得 由IEQ算出 在输入特性曲线上，Q点越高，rbe越小！ 3. 放大电路的动态分析 放大电路的 交流等效电路 阻容耦合共射放大电路的动态分析 输入电阻中不应含有Rs! 输出电阻中不应含有RL! 3. 放大电路中的频率参数 在低频段，随着信号频率逐渐降低，耦合电容、旁路电容等的容抗增大，使动态信号损失，放大能力下降。 高通电路 低通电路 在高频段，随着信号频率逐渐升高，晶体管极间电容和分布电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小，使动态信号损失，放大能力下降。 下限频率 上限频率 结电容 (1)模型的建立：由结构而建立，形状像Π，参数量纲各不相同。 gm为跨导，它不随信号频率的变化而变。 阻值小 阻值大 连接了输入回路和输出回路 二、晶体管的高频等效电路1. 混合π模型 （2）混合π模型的单向化（使信号单向传递） 等效变换后电流不变 （3）晶体管简化的高频等效电路 ＝？ 2、电流放大倍数的频率响应 为什么短路？ （1）适于频率从0至无穷大的表达式 （2）电流放大倍数的频率特性曲线 第六章 晶体管极其应用 6.2 晶体管的结构和符号 面积大 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 1 晶体管的结构 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。 少数载流子的运动 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使扩散到基区的电子（非平衡少子）中的极少数与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 基区空穴的扩散 2 晶体管的电流放大特性 电流关系： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 穿透电流 集电结反向电流 直流电流放大系数 交流电流放大系数 饱和区 放大区 截止区 （1）输入特性 3 晶体管的特性曲线 （2）输入特性 晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。 晶体管的三个工作区域 4 主要参数 ① 共射极电流放大倍数β和? 在静态下（无输入信号），共射直流电流放大倍数为集电极电流和基极电流的比值，即： 工作在动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： ② 集-基极反向截止电流ICBO ICBO 是发射极开路，集电结反偏置时，集电极和基极之间的反向漏电流。ICBO 很小，但受温度影响较大。 ③ 集-射极反向截止电流ICEO ICEO是基极开路，集电结反偏置，而发射结正向偏置时，集电极和发射极之间的反向电流（穿透电流）。ICEO 与ICBO 之间的关系为： ICEO= （? +1）ICBO ④ 集电极最大允许电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的值的?下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。 集电极电流IC流过三极管，所发出的焦耳热为：PC=ICUCE 。必定导致结温上升， PCM是根据最高结温给出的，所以对PC有限制，PC?PCM。 ⑤ 集极-发射极反向击穿电压 U(BR)CEO 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 ⑥ 集电极最大允许功耗 PCM 安全工作区 1. 共发射极放大电路的组成 6.2.2 共发射极放大电路 + uBE ? + uCE ? EC RB EB RC + ui ? + ? RS us + uo ? C2 RL + iC iB C1 + 晶体管: 放大元件。 电源EC：保证发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，为输出信号提供能量。 集电极电阻RC ：将电流的变化变换为电压的变化，以实现电压放大。 基极电阻RB：使发射结处于正向偏置、提供大小适当的基极电流。 耦合电容C1和C2 ：