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第四章 金属电子论研讨

自从1933年德国科学家Ruska和Knoll等人在柏林制成第一台电子显微镜后,几十年来,有许多用于表面结构分析的现代仪器先后问世。如透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、场离子显微镜(FEM)等。但任何一种技术在应用中都会存在这样或那样的局限性。 1982年,IBM(国际商业机器)公司苏黎世实验室的葛·宾尼(Gerd Binnig)博士和海·罗雷尔(Heinrich Rohrer)博士及其同事们共同研制成功了世界第一台新型的表面分析仪器——扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscope,简称STM)。 使人类第一次能够实时地观察单个原子在物质表面的排列状态和与表面电子行为有关的物理、化学性质。 在表面科学、材料科学、生命科学等领域的研究中有着重大的意义和广阔的前景,被国际科学界公认为二十世纪八十年代世界十大科技成就之一。 1986年,STM的发明者宾尼和罗雷尔被授予诺贝尔物理学奖。 具有原子级高分辨率。 可实时地得到在实空间中表面的三维图象。 可观察单个原子层的局部表面结构。 可在真空、大气、常温等不同环境下工作,甚至可将样品浸在溶液中,并且探测过程对样品无损伤。 配合扫描隧道谱STS(Scanning Tunneling Spectroscopy)可以得到有关表面电子结构的信息。 在STM的恒流工作模式下,有时它对样品表面微粒之间的某些沟槽不能够准确探测,与此相关的分辨率较差。 STM所观察的样品必须具有一定程度的导电性。 宾尼等人1986年研制作成功的AFM弥补了STM这方面的不足。后来又陆续发展了一系列的扫描探针显微镜,如磁力显微镜(MFM)、静电力显微镜(EFM)、扫描热显微镜、光子扫描隧道显微镜(PSTM)等。 4、STM的基本原理 根据量子力学的波动理论,粒子 穿过势垒的透射系数 由式中可见,透射系数T与势垒宽度a、 能量差(V0-E)以及粒子的质量m有着 很敏感的依赖关系,随着a的增加,T 将指数衰减。 隧道电流:扫描隧道显微镜是将原子线度的极细探针和被研究物质的表面作为两个电极,当样品与针尖的距离非常接近时(通常小于 1 nm),在外加电场的作用下,电子会穿过两个电极之间的势垒流向另一电极,形成隧道电流,其大小为: 式中Vb是加在针尖和样品之间的偏置电压,S为样品与针尖的距离,Φ是平均功函数,A为常数,在真空条件下约等于 1. 由前式可知,隧道电流强度对针尖和样品之间的距离有着指数的依赖关系,当距离减小 0.1nm,隧道电流即增加约一个数量级。 因此,根据隧道电流的变化,我们可以得到样品表面微小的高低起伏变化的信息。 恒高模式:针尖的 x-y 方向仍起着扫描的作用,而 z 方向则保持绝对高度不变,由于针尖与样品表面的相对高度会随时发生变化,因而隧道电流的大小也会随之明显变化,通过记录扫描过程中隧道电流的变化亦可得到表面态密度的分布。 分布函数f(E) 中电子状态数 中电子状态数 中电子数 可到达金属表面的电子数 电流密度 可到达金属表面的电子数 间的状态数: 间的状态数: 间的电子状态数: 单位体积中在 间的电子状态数: 由于发射电子的能量 必须满足: 间的电子数 (2)单位体积 而WkBT, (3)可到达金属表面的电子数 设ox轴垂直金属表面,电子沿x方向离开金属,这就要求沿x方向的动能 必须大于E0,而vy,vz的数值是任意的,因此对vy,vz积分得: ---里查孙-德西曼公式 4.4.4 接触电势差 0 EF ?A ?B EF 0 金属的能级和功函数 由图可得电势差和功函数的关系式: B + + + - - - - - - + + + - - - VA VB 接触电势差 A + + + 平衡条件:化学势相等。 上式说明两块金属的接触电势差来源于两块金属的脱出功不同,而脱出功表示真空能级和金属费米能级之差,所以接触电势差来源于两块金属的费米能级不一样高。 理论推导上式。 设两块金属的温度都是T,当他们接触时,每秒内从金属A和金属B的单位表面积所溢出的电子数分别为: 若?B ?A,则VA0, VB0,两块金属中的电子分别具有附加的静电势-eVA和-eVB,这时两块金属发射的电子数分别为: 当达到平衡时, 接触电势差: 1、STM的产生背景 §4.5 扫描隧道显微镜 1、STM的出现的意义 葛·宾尼(Gerd Binning) 海·罗雷尔(Heinr

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