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简明教程-第6章研讨
科学出版社 高等教育出版中心 科学出版社 高等教育出版中心 半导体器件原理简明教程 第6章 半导体光电子器件 电磁波谱表 光子能量、波长和频率 半导体的光吸收和光发射 半导体的光吸收 半导体的光吸收和光发射 光吸收过程的能量守恒和波矢守恒 半导体的光吸收和光发射 半导体光吸收实验 半导体的光吸收和光发射 半导体光吸收曲线 半导体的光吸收和光发射 几种半导体光吸收曲线 半导体的光吸收和光发射 半导体禁带宽度、光谱范围、波长、光子能量对应关系图 半导体的光吸收和光发射 光发射过程的能量守恒和波矢守恒 半导体的光吸收和光发射 跃迁种类—带间直接跃迁 半导体的光吸收和光发射 跃迁种类—经由杂质能级的跃迁 半导体的光吸收和光发射 跃迁种类—俄歇跃迁 太阳能电池 原理图 太阳能电池 电流电压关系曲线 太阳能电池 负载特性和填充因子 太阳能电池 太阳福照度曲线 太阳能电池 非晶硅能带 太阳能电池 非晶硅太阳能电池 光探测器件 原理图—反偏pn结 光探测器件 计算实例 光探测器件 PIN光电二极管 光探测器件 双极型光电三极管 发光二极管 历史 发光二极管 基本结构和光发射示意图 发光二极管 效率 发光二极管 光辐射损耗机制 辐射光子的再吸收 菲涅尔损耗 临界角损耗 发光二极管 光辐射损耗机制--菲涅尔损耗 发光二极管 光辐射损耗机制--临界角损耗 发光二极管 双异质结发光二极管能带图 发光材料和能带工程 镓-砷-磷三元半导体的能带结构与组分的关系 发光材料和能带工程 镓-砷-磷三元半导体的E-K平面能带结构与组分的关系 发光材料和能带工程 镓-铝-砷能带结构、折射指数与组分的关系 发光材料和能带工程 更多的能带工程材料 发光材料和能带工程 等电子掺杂—GaP中的N原子掺杂 发光材料和能带工程 等电子掺杂—等电子陷阱的概率密度分布 发光材料和能带工程 等电子掺杂—光辐射跃迁过程的动量守恒 发光材料和能带工程 等电子掺杂—总览 半导体激光器件 受激吸收 半导体激光器件 自发辐射与受激辐射 半导体激光器件 半导体中电子分布与量子态能量的关系 半导体激光器件 受激辐射、自发辐射、受激吸收表达式 半导体激光器件 激光发生条件—受激辐射控制发光过程 半导体激光器件 实现粒子数反转的措施 半导体简并重掺杂 有源区注入足够高的非平衡载流子浓度 半导体激光器件 增益系数与损耗系数 半导体激光器件 增益系数、损耗系数与注入电子浓度关系曲线 半导体激光器件 光学谐振腔 半导体激光器件 光学谐振腔的正反馈和放大作用产生激光 半导体激光器件 双异质结激光器结构示意图 半导体激光器件 双异质结激光器 工作原理 半导体激光器件 输出功率与注入电流 半导体激光器件 有源区光场填充因子定义 半导体激光器件 有源层减薄, 光场填充因子下降 半导体激光器件 插入低折射指数缓冲层的五层结构量子阱激光器 半导体激光器件 改善导带和价带结构对称性,降低阈值电流密度 半导体激光器件 半导体激光技术的演进和阈值电流密度的降低 半导体激光器件 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 半导体激光器件 VCSEL的一种光场约束和载流子约束技术 半导体激光器件 多波长输出VCSEL阵列 练习与思考 根据砷化镓导带电子和价带空穴的有效质量,计算要使空穴准费米能级EFp位于价带之下所需的最小注入电子密度,并计算电子准费米能级EFn的位置(假定砷化镓有源层为本征层)。 半导体中电子填充量子态的分布由费米分布函数决定,其热平衡态近似分布为玻尔兹曼分布 因E2E1,所以n2n1 增益系数:净受激辐射率与受激吸收率之比 损耗系数?i:所有受激吸收外的其他损耗 增益系数不仅要大于1,而且要大于损耗系数,受激辐射才得以维持。 保证增益系数大于损耗系数所需要的注入电流称为激光二极管的“临界电流”或“阈值电流”。 * * 作者:傅兴华 陈军宁等 单位:贵州大学、安徽大学 制作时间:2010年10月 当h? Eg 或 ?1.24/Eg时,吸收系数迅速增大。 光电流密度远大于pn结反向饱和电流密度。 光电流主要成份是pn结外侧少数载流子的扩散电流。 当从半导体内出射到半导体-空气界面的光子大于临界角时,光子被全反射。
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