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第四章_化学气相沉积1
1、基本介绍 气相沉积技术: 化学气相沉积法 (Chemical Vapor Deposition,CVD): 利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上反应生成固态沉积物的技术。 2、化学气相沉积的装置 CVD装置通常: 气源控制部件; 沉积反应室; 沉积温控部件; 真空排气和压强控制部件; 增加激励能源控制部件(在等离子增强型或其它 能源激活型CVD装置)。 CVD对原料、产物及反应类型的要求 1.反应原料是气态或易于挥发成蒸汽的液态或固态物质。 2.反应易于生成所需要的沉积物而其中副产品保留在气相中排出或易于分离. 3.整个操作较易于控制。 3、CVD分类 根据反应类型不同分为: 热解化学气相沉积 化学合成气相沉积a、氧化还原反应沉积 b、化合反应沉积 化学输运反应沉积(可逆反应) 根据激活方式不同分为: 热激活:电阻加热、感应加热、红外辐射加热 等离子增强的反应沉积(PCVD) (PECVD) 激光增强的反应沉积(LCVD) (LICVD) 微波电子共振等子离CVD 2.1 热解化学气相沉积 1、氢化物:氢化物M-H键的离解能、键能都比较小,热解温度低,唯一的副产物是没有腐蚀性的氢气。 原料:通常IV B族ⅢB族和ⅡB族的一些低周期元素的氢化物如CH4、siH4、GeH4、B2H6、PH3、AsH3等都是气态化合物, 产物:相应的副族元素的单质 2、有机烷氧基的元素化合物,在高温时不稳定,热分解生成该元素的氧化物。 3、此外还有一些金属的碳基化合物(有机烷基金属化合物),本身是气态或者很容易挥发成蒸气经过热分解,沉积出金属或金属氧化物薄膜。例如: 2.2 氧化还原反应沉积 1、原料:元素的氢化物或有机烷基化合物 通入氧气 反应:氧化反应 产物:该元素的氧化物薄膜 2、原料:卤化物(许多卤化物是气态或易挥发的物质) 通入氢气 反应:氢还原反应 产物:卤化物中对应阳离子单质薄膜 2.3 化合反应沉积 在CVD技术中使用最多的反应类型是两种或两种以上的反应原料气在沉积反应器中相互作用合成得到所需要的无机薄膜或其它材料形式。 常利用氢化物或有机烷基化合物的不稳定性,经过热分解后立即在气相中和其它原料气反应生成固态沉积物, 例如: 2.4 化学输运反应沉积 1、利用物质本身在高温下会气化分解然后在沉积反应器稍冷的地方反应沉积生成薄膜、晶体或粉末等形式的产物。 2、也有的时候原料物质本身不容易发生分解,而需添加另一物质(称为输运剂)来促进输运中间气态产物的生成。例如: 2.5 等离子体增强的反应沉积 概念:等离子体增强化学气相沉积是采用高频电场产生等离子体,使反应物分解后沉积到基片表面。即以外部电能加到CVD环境中,有效地代替一般热激活CVD系统中的电能热激活,可使PECVD的沉积温度大大低于热激活CVD的沉积温度。 主要用于镀膜技术。 2.6 激光增强的反应沉积 激光诱导LICVD –Laser-induced CVD 用激光束照射封闭气体室内的反应气体,诱发化学反应,使生成物沉积在气体室内的基本上。 激光的原理:利用反应气体分子(或光敏分子)对特定波长激光束的吸收,引起反应气体分子光解,热解,光敏化反应。 根据CVD的特点,其主要应用在: 原料: CH4、Ar、H2 、 N2、CO2 反应原理: CH4 → C + H2 PECVD法制备纳米金刚石薄膜设备示意图 4.2 化学气相沉积(CVD)制备超细材料 CVD技术,主要用于材料的表面沉积镀膜,还可以用于制备超细粉体材料、纳米粉末、和纤维材料。 利用化学气相沉积技术制备粉体材料是将挥发性金属化合物的蒸气通过化学反应合成所需的物质,并使之沉积成粉末颗粒。 其技术的关键: 是合理控制气相沉积过程中的凝结形核及生长方式 这种方法除适用于制备氧化物外,还适于制备用液相法难于直接合成的金属、氮化物、碳化物、硼化物等非氧化物。 气相沉积产物示意图 用SiH4除了能合成纳米Si微粒外,还能合成SiC和Si3N4纳米微粒,粒径可控范围为几纳米至70nm,粒度分布可控制在±几纳米以内。合成反应如下 : 小结 1、 CVD特点 CVD应用 2、原料: 是气态或易于挥发成蒸汽的液态或固态物质。 1)低周期元素的氢化物 2)有机烷氧基的元素化合物 3)金属的碳基化合物 4)卤化物 3、CVD分类 4、CVD设备
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