半导体物理第六章复习_北邮重点分析.docx

第六章 一、基本概念 1.突变结: 杂质分布如下图所示，N型区中施主杂质浓度为ND，而且均匀分布；P型区中受主杂质浓度为NA，也是均匀分布。在交界面处，杂质浓度由NA(p型)突变为ND(n型)，具有这种杂质分布的PN结称为突变结。(突变结是由合金法得到的) 2.单边突变结: 实际的突变结，两边的杂质浓度相差很多，通常称这种结为单边突变结。 3.缓变结: 用下图表示用扩散法制造PN结(也称扩散结)的过程，它是在N型单晶硅片上，通过氧化、光刻、扩散等工艺制的PN结。其杂质分布由扩散过程及杂质补偿决定。在这种结中，杂质浓度从P区到N区是逐渐变化的，通常称为缓变结。 线性缓变结：在扩散结中，若杂质分布可用X=Xj处的切线近似表示，则称为线性缓变结。 4.结深： 5.扩散结：用扩散法制造的PN结称为扩散结。 6.平衡PN结:流过PN结的净电流为零，空间电荷区电荷数恒定，空间电荷区不再扩展，保持一定宽度时的热平衡状态下的PN结称为平衡PN结。 7.PN结空间电荷区: 两块半导体结合形成PN结时，由于它们之间存在着载流子浓度梯度，导致了空穴从P区到N区、电子从N区到P区的扩散运动。对于P区，空穴离开后，留下了不可动的带负电荷的电离受主，形成一个负电荷区。同理，在N区形成一个正电荷区。通常把PN结附近的这些电离施主和电离受主所带的电荷称为空间电荷。它们所存在的区域称为空间电荷区。（空间电荷区由于其能带图中的存在势垒的缘故被称为势垒区；空间电荷区由于内部载流子浓度比起N区和P区多数载流子的浓度都少得多，好像已经耗尽的缘被称为耗尽层。） 8.PN结接触电势差: 平衡PN结的空间电荷区两端间的电势差VD称为PN结的接触电势差，或内建电势差。 9.PN结势垒高度: 平衡PN结的空间电荷区两端间的的电子电势能之差即能带的弯曲量qVD称为PN结的势垒高度。 10.PN结势垒宽度: 势垒区在X上的宽度，即空间电荷区的宽度。XD=XP+XN 11.耗尽层近似: 忽略空间电荷区载流子浓度，空间电荷区电荷密度等于电离杂质浓度，称为耗尽层近似，空间电荷区又称为耗尽层。 12.PN结正偏（正向偏压）: PN结加正向偏压V(即P区接电源正极，N区接负极时)，则PN结正偏。 13.PN结反偏（反向偏压）: PN结加反向偏压V(即P区接电源负极，N区接负正时)，则PN结反偏。 理想PN结模型: ①小注入--注入非平衡少子浓度比平衡多子浓度低得多；②耗尽层近似--空间电荷由电离施主、电离受主构成；③忽略N、P区体电阻和欧姆接触电阻—外加电压全部降落在空间电荷区； ④忽略空间电荷区复合；⑤载流子服从玻耳兹曼计分布； 结论：①PN结具有单向导电性；②温度对电流密度的影响很大③正向电流密度由PN结两侧杂质浓度比值决定④扩散长度越短、寿命越短，正向电流密度越大⑤禁带宽度越小，正向电流越大。 14.势垒电容: PN结上外加电压的变化，引起了电子和空穴在势垒区的”存入”和”取出”作用，导致势垒区的空间电荷数量随外加电压而变化，这和电容器的充放电作用相似。这种PN结的电容效应称为势垒电容，以CT表示。势垒电容是多子变化引起的电容，是正向偏压下PN结主要电容。 15 .扩散电容: 由于扩散区的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应，称为PN结的扩散电容，用符号CD表示。扩散电容是少子变化引起的电容，是反向偏压下PN结主要电容。 16.PN结雪崩击穿: 反向偏压增大到一定值时，反向电流突然无穷大，称为PN结击穿。当反向偏压很大时，势垒区中的电场很强，在势垒区内的电子和空穴由于受到强电场的漂移作用，具有很大的动能，它们与势垒区内的晶格原子发生碰撞时，能把价键上的电子碰撞出来，成为导带电子，同时产生一个空穴。由于倍增效应，使势垒区单位时间内产生大量载流子，迅速增大了反向电流，从而发生PN结击穿。这就是PN结雪崩击穿。 雪崩击穿的特点: ①不仅与势垒区电场强度有关，还与势垒宽度有关。若势垒很薄，即使电场强度高，载流子的加速距离很短，也不产生雪崩击穿。②温度提高，晶格散射增加，载流子平均自由程缩短，击穿电压提高，具有正温度系数。 17.PN结隧道击穿: 反偏压使势垒区能带倾斜、导带到价带的水平距离变小。反偏压很大时，P区价带电子能量高于N区导带底，价带电子隧穿到导带空量子态成为N区自由电子，称为隧道效应。由于隧道效应，使大量电子从价带穿过禁带而进入到导带所引起的一种击穿现象。 PN结隧道击穿的特点:①PN结两侧掺杂浓度很高，容易发生隧道击穿；②击穿电压随温度升高而降低（负温度系数）；③禁带宽度随温度升高而减小，隧道长度随温度升高而缩短。 18.热击穿: 反向漏电流在PN结产生的功耗如不能及时散发，则PN结温度上升，反向电流增加，如此反复，功耗不断增加导致热电击穿。 19.隧道结: 由重掺杂的P区