A novel analytical model of a SiC MOSFET(中文).docVIP

新型SiC MOSFET解析模型 R. Ramovic, M. Jevtic, J. Hadzi-Vukovic and D. Randjelovic 摘要——本文提出一种新型的分析模型，其是基于SiC的n沟道MOSFET的特性。 运用已知的实验结果，载流子迁移率的半经验关系式对电场强度的依赖，掺杂浓度和温度是指定值。基于此关系适当的电流电压特性，分析数学物理模型模拟跨导和MOSFET的电导。 所有模型都考虑到指定因素和其他影响。通道阈值电压的依赖温度和杂质浓度，以及通道狭窄的影响。 设计该模型的仿真算法以及展现MOSFET仿真结果，讨论和提出仿真的结果。 1.介绍 因为宽能带，高的炮和漂移速度，高的热导率，高临界域和化学稳定性。SiC越来越本用来制作半导体器件。基于SiC的MOSFET有很好的开关特性和小可能的二次击穿。这使得其适合高功率的应用，这些应用可以在不同文献中找到不同的设计结构，例如，横向DMOSFET，双垂直植入MOSFET，UMOSFET，完全氧化IOP-MOSFET等。SiC设备的实现是基于不同的晶体结构，如3C，4H和6H。 SiC的MOSFET通常是基于已经存在的Si MOSFET模型建模开发的。简化分析有效载流子迁移率对电场的依赖的模型，沟道的温度(T) 和杂质浓度(Na)分别有一下关系 图1 横向DMOSFET的横向截面 (1) , (2) (3) (4) α,β,E0,A和B是常量,Tn是归一化温度和T0环境温度。这些关系的不足之处是,他们只包括的三个参数作为变量,另一个常量。在我们的模型,我们提出了作为流动性的统一关系,包括所有参数作为变量。 2.统一的数学物理模型模拟SIC MOSFET特征 使用可用的实验结果(1 - 3)和现有的分析模型(5 - 12),我们开发了一个新奇的,挤占载流子迁移率的半经验关系式SiC电场的作用,温度和掺杂剂浓度: (5) Tn = T/T0归一化温度,En=Eav/E0电场,寻访是电场的平均值成立于英吉利海峡,而E0,α和v是常量,这为电子和空穴采取不同的值。环境温度T()和弱电场条件下,浓度依赖的流动性具有以下形式 (6) 其中，Na 是中心接受者，a和b是常量，（6）的关系是通过拟合实验曲线用最小二乘法的到的。 使用提供的(5)和(6)图给定的电流电压特性关系，SiC MOSFET的跨导和电导有以下关系： 在线性区域： (7) (8) (9) 在饱和区域： (10) (11) (12) 其中, 是缩短沟道, 和其他符号是规定值。 3.仿真的结果和讨论 第二部分和MATLAB 5.1节中给出的模型用于模拟设备特征。从表达式(5)和(6)数值载流子迁移率在不同温度和不同的掺杂水平计算。图2展示了不同温度和浓度的关系，还有机动性能。图3展示了掺杂浓度和不同温度的关系。图4显示的是3-D依靠μ(T, Na)的结果。这个仿真我们选择了To=300K, No=5×1021 m-3, α=1.5, v=1, a=-11.81 and b=219.45。仿真的结果表明了杂质浓度和载流子迁移率的关系，温度和电场在SiC MOSFET中不相同的关系。对于高衬底掺杂水平,流动首先随着温度的增加而增加直到达到最大值，然后减少。因此，存在一个最适合温度(Topt= 400K)使得载流子迁移率达到最大值。 图2 温度依赖的流动性不同的掺杂浓度 图3 迁移率与掺杂浓度不同的温度。 图4 三维流动的掺杂浓度和温度的依赖 图5 电流电压特性作为温度的函数Na=2·1020m-3 and VGS= 16V. 图6 浓度依赖性的电流电压特性 T=300K and VGS=16V. 图7 为不同的温度依赖的跨导VGS(Na=3·1022m-3, VDS=50mV). 图8 电导作为VDS不同温度的函数(Na=2· 1020m-3, VGS=16V). 图9 不同浓度的电导在VDS的依赖(T=300K, VGS=16V). 图10 输入晶体管特征温度的依赖 (Na2·1022m-3, VDS=50mV). 这中效应可能是由于陷阱表现作为表面电荷存在SiC氧化边界。这包括到模型拟合