Embedded_system_第五章_闪速存储器.ppt

闪速存储器 闪速存储器概述 闪速存储器Flash是一种高密度、真正不挥发的高性能读写存储器，兼有功耗低、可靠性高等特点。 —固有不挥发性 —易更新性 —成本低、密度和可靠性更高 闪速存储器概述（1） 根据工艺Flash主要有两类： —NOR Flash： ? 连接N-MOS单元的线都是独立的。 ? 可以随机读取。 ? 适于程序代码的并行读写存储，常用于制作PC的BIOS存储器和微控制器内部存储器等等。 —NAND Flash： ? 将几个N-MOS单元用同一根线连接。 ? 可以按顺序读取存储单元的内容。 ? 适合于数据或文件的串行读写存储。 闪速存储器概述（2） 现代片内Flash的优点： 单一电源电压供应。 可靠性高。 擦写速度快。 支持在线编程。 闪速存储器的编程操作（1） 概述 Flash的编程操作分为： —擦除：将存储单元的内容由0变成1 —写入：将存储单元的内容由1变成0 擦除、写入操作都是通过设置或清除Flash控制寄存器（FLCR）中的某个或某些位来完成的。 闪速存储器的编程操作（2） 概述 页（page）和行（row） —Flash在片内是以页（page）和行（row）为单位组织的。 —页和行的大小（字节数）随整个Flash的大小变化而变化，页的大小始终为行的两倍。 —对Flash的擦除操作都是以页为基础的，而写入操作则是以行或页为基础。 闪速存储器的编程寄存器（1） 与Flash编程操作有关的寄存器有两个： —Flash控制寄存器（FLCR） 用于控制对Flash的擦除和写入操作 —Flash块保护寄存器（FLBPR） 用于设定被保护的Flash区域 闪速存储器的编程寄存器（2） Flash控制寄存器（FLCR） 用于控制对Flash的擦除和写入操作 FLCR各位如下图所示： 闪速存储器的编程寄存器（3） Flash控制寄存器（FLCR）各位的含义 HVEN为高压允许位。 —当PGM=1或ERASE=1时，用户可以通过设置HVEN将来自片内电荷泵的高压加到Flash阵列上。 —1=打开电荷泵并将高电压加到Flash阵列上。 —0=撤除Flash阵列上的高电压并关闭电荷泵。 闪速存储器的编程寄存器（4） Flash控制寄存器（FLCR）各位的含义 MASS为整体擦除控制位。 —在ERASE=1时有效，用于选择擦除操作方式：整体擦除或页擦除。 —1=选择整体擦除方式。 —0=选择页擦除方式。 闪速存储器的编程寄存器（5） Flash控制寄存器（FLCR）各位的含义 ERASE为擦除操作控制位。 —该位用于设置Flash编程操作为擦除操作。 —与PGM位之间存在互锁关系，无法同时被设置为１。 —1=选择擦除操作。 —0=不选择擦除操作。 闪速存储器的编程寄存器（6） Flash控制寄存器（FLCR）各位的含义 PGM为写入操作控制位。 —该位用于设置Flash编程操作为写入操作。 —1=选择写入操作。 —0=不选择写入操作。 闪速存储器的编程寄存器（7） Flash块保护寄存器（FLBPR） FLBPR块保护寄存器用于设定被保护的Flash区域 当Flash处于保护状态时，擦除和写人操作在用户方式下都受限制，HVEN将无法正常置位 Flash块保护寄存器（FLBPR） 图中U=不受复位影响，出厂时设置为1。 BPR[7…0］是Flash块保护寄存器位。 MC68HC08GP32 Flash块保护寄存器设置 闪速存储器的编程寄存器（8） Flash块保护寄存器（FLBPR） FLBPR设定的是保护区域的起始地址，保护区域结束地址始终为Flash存储区结束地址（$FFFF）。 FLBPR的8位设置了Flash保护区域起始地址的高8位。其具体位置取决于特定微控制器的Flash容量。 对MC68HC08GP32而言，它们设定的是16位起始地址的第14~7位（第15位恒为1）。 闪速存储器的编程寄存器（9） Flash块保护寄存器（FLBPR） 注意： 只有当微控制器处于用户方式下时，对寄存器本身和Flash保护区域的擦写操作保护才是有效的。 闪速存储器的编程步骤（1） 页擦除操作 置ERASE位为1，清MASS位为0； 读Flash块保护寄存器； 向被擦除的页写入任意值，一般是给首地址写入0，以便处理器确定擦除的页 延时Tnvs； 置HVEN位为1； 延时Terase ； 清ERASE为0； 延时Tnvh； 清HVEN位为0； 延时