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Flash烧录SOP修改记录日期版本修改描述修订者2015.04.21V1.0初始版本李胜良本文主要针对工厂出现的批量烧录问题，以9832CV项目为例着重介绍了Flash基础知识、生产母片的制作过程、烧录器烧录过程；希望读者通过阅读本文能够对Flash的烧录有一个比较全面、大概的了解，便于后续项目的开发，减少不必要的重复工作。Flash基础知识Flash的存储原理与DRAM以电容作为存储元件不同，闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你再次倒入或倒出，所以闪存掉电记忆能力。与场效应管一样，闪存也是一种电压控制型器件。NAND型Flash的擦和写操作均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电（写数据）或放电（擦除数据）。而NOR型Flash擦除数据仍是基于隧道效应（电流从浮置栅极到硅基层），但在写入数据时则是采用热电子注入方式（电流从浮置栅极到源极）。NandFlash单元组织结构如下所示，一般而言一片Flash由多个块(block)组成，一个块又分为若干页(page,一般是64页），一页由main area（2K bytes） 与OOB area（128 bytes）区域组成。通俗的讲，我们将一片Flash类比为一个小区。小区里的一栋房子好比Flash的一个块，房子的每一层好比Flash的一页，而每一层的一户人家就好比Flash的每一page的存储单元，另外每户人家都平均分配有8间房，类比Flash的一个字节存储单元，为了以示区分我们又将每一层某些区域分配给特殊用户居住，这就好比Flash的OOB区域。块（block）是Flash的最小擦除单位，一般一个块大小为128K(0x20000),也有256K及512K的，具体查看Flash的规格书；页（page）是NandFlash的写入操作的最小的单位,常见的nand flash页大小大都为为2KB(0x800)，被称作big page；老的nand flash，页大小是256B，512B，这类的nand flash被称作small page。现在市面上也有4KB页大小的Flash，具体也请规格书上查看的为准。NandFlash的坏块和坏块标志由于制造工艺的原因，NAND Flash 在生产过程中可能会产生坏块，坏块在出厂前将会被标记。对于坏块而言，存储的信息可能会丢失，不能正常使用。另外在NAND Flash擦除或者编程过程中，出现操作失败后，表示该块不可以正常使用，也应标记为坏块。所以在一般情况下，在操作NAND Flash之前，先要检查一下要操作的是否是坏块，以免坏块标记被破坏。此外，为了保证存储信息的可靠性，从NAND Flash中读取的数据还可以引入ECC校验，ECC码一般存放在该页的spare区。小页模式的NAND Flash(8bit)的坏块标志(BM)一般放在每个block第一页和第二页的第6个字节。Spare区：01234BM6789101112131415小页模式的NAND Flash(16bit)的坏块标志(BM)一般放在每个block第一页和第二页的第1个字(双字节)。Spare区：BM1234567大页模式的NAND Flash(8bit)的坏块标志(BM)一般放在每个block第一页和第二页的第1个字节。Spare区：BM123456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142434445464748495051525354555657585960616263大页模式的NAND Flash(16bit)的坏块标志(BM)一般放在每个block第一页和第二页的第1个字(双字节)。Spare区：BM12345678910111213141516171819202122232425262728293031一般情况，坏块标志(BM)处为0xFF或者0xFFFF表示好块，非0xFF或者0xFFFF代表坏块。nandflash的坏块管理对bad block 的管理有很多种方式, 没有那一种方式被定义成标准方式。例如: 一种通用的方式是跳过bad block , 把数据写入到下一个好块中--这种方法被称为“Skip Block”。另外一种通用的方式叫做“Reserved Block Area”, 这种方法用已知好的block (块)来替代bad block, 这些已知好的block (块)是预先保留设置的。除此之外, 其他应用需求对每个页内的