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PCSS——光电导开关 光电导开关的简介 实验用光电导开关的结构 光电导开关的技术指标 实验结论 脉冲功率元件的应用场合 脉冲功率开关元件 低电压小功率（8KV 20MW以下）可用功率半导体元件如SCR、IGCT、IGBT、SITH等 高电压大功率下的传统开关元件 新型半导体脉冲功率开关元件 RSD、PCSS、SOS和DSRD PCSS的特点 耐高压通断功率大、开关速度快、 触发无晃动、 寄生电感电容小、 结构简单紧凑. 开关速度 响应速度可达10-9S到10-12S 耐压 GaAs基体本征击穿电压250KV/cm,不加绝缘措施的情况下闪络电压10Kv/cm以上,在SF6 、绝缘油、去离子水绝缘下闪络电压可达26.6Kv/cm,30Kv/cm,145Kv/cm,但开关结构复杂难于制作和实际应用,在本次实验中采用的Si3N4-有机硅树脂绝缘体系,该体系下下闪络电压35Kv/cm. 试验用PCSS结构 开关芯片选用的半绝缘 GaAs 材料的电阻率ρ≤ 5*107ψ载流子浓度为1014/cm3量级 ,迁移率为 μ≥5000cm2/V●s,晶片厚度为0.6mm,电极尺寸为6mm× 4mm,圆角半径为1.1mm, 所研制的开关电极间隙分别为 3、8mm等,用电子束蒸发工艺淀积厚度 为800 nm的 Au/Ga/Ni合金电极 经退火处理与 GaAs晶片形成欧姆接触-将这种 GaAs 晶片安装于与之匹配的平面传输线上, 形成具有最低电感的输出方式整个开关经微带过渡接头与同轴电缆相接-微带传输线用高导热性能的 Al2O3 ( 复铜板制作, 使开关具有良好的散热性能!开关的绝缘保护采用多层固态透明介质, 如图 所示, 第一层介质为Si3N4 绝缘薄膜, 与通常的钝化保护层相同； 第二层介质为新型有机硅凝胶, 它的绝缘强度大于280Kv/cm, 在360—1200nm波长范围内的平均透过率约 95%, 对触发光的吸收几乎可以忽略. 试验所用的触发激光源 本试验采用YAG （钇铝石榴石）Q开关 激光器触发3mm间隙的开关, 激光脉冲宽度为15ns, 经KTP晶体倍频输出波长为 0.53μm. YAG,钇铝石榴石,化学式Y3 Al5 O15,YAG激光,是指掺杂Nd+的YAG晶体棒受激辐射的1064nm波长的激光,YAG 激光 常采用 Q 开关 为泵浦源 脉冲工作 态可输出大磁脉冲10J,平衡功率10Kw以上的激光束,是目前最成熟的 固体激光器 . PCSS的暗态伏安特性和触发特性 8mm间隙PCSS的 暗态伏安特性曲线 3mm间隙PCSS的线形电流波形 （8μJ 触发激光 ） 3mm间隙PCSS的Lock_On电流波形 （48μJ 触发激光 ） PCSS不同电压下的触发特性 3mm间隙PCSS的 低压（≤11Kv）下的线形电流波形 3mm间隙PCSS在高压下的Lock_On电流波形 PCSS的响应速度 线性模式下的电流/时间曲线 Lock_On模式下的电流/时间曲线 由图可见,在线性模式下,PCSS响应速度较慢 ,约 为 5ns,而 Lock_On模式下PCSS响应速度极快 ,上升时间可小于 200ps,峰值电流560A,上升速率可达 2.8×1012A/s以上. PCSS的光电阙值效应 PCSS 器件进入Lock_On效应区的条件 不是孤立的 ,研究发现当 GaAs PCSS的偏置电场强度和