Section 1 晶体的结构与能带理论.pptVIP

Training Course: Jimmy 认识半导体 固体材料的分类 根据固体内部原子排列的不同，可以把固体分为 晶体：原子排列具有周期性 单晶：长程有序 多晶：长程无序，短程有序 非晶体：原子排列不具周期性 单晶硅，多晶硅，非晶硅 单晶硅的晶体结构 晶向，晶面与密勒指数 晶向指数：从原子沿晶向到最近的原子位移为 则晶向即用[l1,l2,l3]标识，称为晶向指数 等效晶向 硅原子的电子结构 能带结构的价键模型 硅的能带结构 能带结构与导电性 能带理论 能带结构的波函数推导 波函数的意义：几率波 （量子力学导论，曾谨言） 布洛赫定理： 一维周期场的推导 一维周期场的推导 能带的讨论 能带理论对导电性的解释 能带密度 费米面 费米分布函数 费米分布 半导体电子论-半导体的能带结构 常见材料的带隙 半导体中的杂质：施主与受主 半导体电子的费米统计分布 半导体体内载流子的计算 载流子的漂移 载流子的产生与复合 载流子的扩散 Applied Materials Confidential Authorized Labels for Information: Applied Materials Confidential. Applied Materials Confidential Restricted/Modifier Applied Materials Confidential/Modifier External Use R 255 G 255 B 204 R 202 G 222 B 233 Light BackgroundPalette R 235 G 169 B 0 R 124 G 165 B 0 R 208 G 0 B 30 Bingo ColorPalette Main Color Palette R 0 G 204 B 255 R 0 G 153 B 204 R 0 G 51 B 102 R 255 G 153 B 0 R 204 G 51 B 0 R 162 G 0 B 108 R 124 G 168 B 0 Solar Business Group Applied Materials Confidential Authorized Labels for Information: Applied Materials Confidential. Applied Materials Confidential Restricted/Modifier Applied Materials Confidential/Modifier External Use Main Color Palette R 255 G 255 B 204 R 202 G 222 B 233 Light BackgroundPalette R 235 G 169 B 0 R 124 G 165 B 0 R 208 G 0 B 30 Bingo ColorPalette R 0 G 204 B 255 R 0 G 153 B 204 R 0 G 51 B 102 R 255 G 153 B 0 R 204 G 51 B 0 R 162 G 0 B 108 R 124 G 168 B 0 Solar Business Group 半导体晶体结构 能带理论 半导体能带结构 载流子 载流子的产生与复合 载流子的电输运 载流子的扩散 多晶 单晶 非晶 用非晶硅膜可以制成各种光敏、位敏、力敏、热敏等传感器 导电引线，栅极，电阻 是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件 用途 直接能带半导体，它的结构内部有许多所谓的“悬键”，也就是没有和周围的硅原子成键的电子，这些电子在电场作用下就可以产生电流，并不需要声子的帮助，因而非晶硅可以做得很薄，还有制作成本低的优点． 导电性良好，耐高温 单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性 性质 薄膜生长（PECVD) 化学提纯或薄膜生长 直拉法或区熔法 生长 非晶硅 多晶硅 单晶硅 简单立方 面心立方 金刚石立方 45°套构 晶格常数：a= 5.43A ? 1cm3有多少个硅原子 计算：(100),(110),(111)的原子密度与晶面间距 集成电路通常采用(100)的晶面：晶面间距小，不易断裂与解理 100 晶面与密勒指数：相互平行等距的平面系。从原点算起，考察各基矢方向第一个面的截距 ，分别为 ，则称（h1,h2,h3）为其晶面标志，也称为密勒指数 (3,2) 可证明，晶面的密勒指数等于晶面法线的晶向指数 暗