SiC基SBD器件实验用光刻版.doc

1.?????目的 SiC基1700V电压等级SBD器件开发研究。 2.?????适用范围 本SiC SBD器件用光刻版为电力电子事业部SiC项目组1700V SBD器件设计研发实验版图。适用于1700V SBD器件开发研究。适用于SUSS MA6型光刻机。 3.?????版图设计 3.1?????版图整体布局说明及光刻版的总体介绍 1700V SBD器件版图使用L-edit绘图工具绘制。共由七层版图组成，包括：标记层（mark）、离子注入层（pbase）、终端刻蚀层（mesa）、肖特基金属层（schottky）、钝化介质层（passivation），、金属加厚层（metal），和PI保护层（PI）。在5inch光刻版中共排布11×10个单胞。单胞中包含2个25安培电流等级SBD器件主芯片，4个5安培电流等级SBD器件副芯片，5个有源区测试结构和17个结终端测试结构，以及标记、测试与工艺监控图形等。 光刻版掩膜名称为17SBD-13A。17SBD表示1700V等级的SBD器件，13A表示2013年第一版。光刻版基板材料石英，材料规格5009，光刻机型SUSS MA6，掩膜方向，无保护膜。数据比例1:1，掩膜类别1:1，阵列步距X:9200，Y:10150，阵列数X:11，Y:10。套版顺序11←21←31←2←1←4←51（版图各层GDS码）。 3.1?????单胞布局 单胞尺寸：9200×10150μm2。 单胞顶部的2个器件是1700V、25安培SBD器件主芯片，中部的4个器件是1700V、5安培SBD器件副芯片，5个有源区测试结构和17个结终端测试结构在单胞的下部，单胞的右下角为标记、测试与工艺监控图形等。图1为单胞布局图，图中尺寸单位为mm。单胞外围的划片道线宽0.1mm，内部划片道线宽0.2 mm。 图1?单胞布局图 3.2?????25安培SBD器件主芯片设计 2个25安培SBD器件主芯片，芯片总面积4.4mm×4.4mm，有源区面积3.95mm×3.95mm，终端区总宽度225μm。芯片有源区与终端区设计结构如图2，25安培SBD器件设计图（一）所示。芯片各层版图尺寸如图3，25安培SBD器件设计图（二）所示。 图2? 25安培SBD器件设计图（一） ?图3??25安培SBD器件设计图（二） 3.3?????5安培SBD器件副芯片设计 4个5安培SBD器件副芯片，芯片总面积2.1mm×2.1mm，有源区面积1.65mm×1.65mm，终端区总宽度225μm。芯片有源区与终端区设计结构如图4，?5安培SBD器件设计图（一）所示。芯片各层版图尺寸如图5，5安培SBD器件设计图（二）所示。 图4? 5安培SBD器件设计图（一） ? 图5? 5安培SBD器件设计图（二） 3.4?????有源区与终端测试结构设计 5个有源区测试结构和17个结终端测试结构，芯片总面积0.95mm×0.95mm，有源区面积0.5mm×0.5mm，终端区总宽度225μm。芯片有源区与终端区设计结构如图6，有源区与终端测试结构设计所示。 图6?有源区与终端测试结构设计 3.5?????测试与监控图形 3.6.1?金半接触测试结构 图7是金属-半导体接触测试结构。此测试结构用来测试碳化硅外延片P型区与金属是否形成欧姆接触，碳化硅外延片N型区与金属是否形成肖特基接触。欧姆接触测试结构尺寸0.95mm×0.540mm。肖特基测试结构尺寸直径0.1mm. 图7?金半接触测试结构：左（欧姆接触测试结构），右（肖特基测试结构） 3.6.2?离子注入测试结构 图8是离子注入测试结构。尺寸面积1.87mm×0.46mm。此测试结构用来监控C保护膜保护效果和终端刻蚀。每个离子注入区长度460μm，宽度15μm，间隔20μm。 图8?离子注入测试结构 3.6.3?工艺监控图形 图9是本光刻版的工艺监控图形，用来监控光刻工艺。图中尺寸单位：μm。 图9?监控图形：左（PI保护光刻版监控图形），右（PI保护光刻版以外的监控图形） 3.6?????对准标记 此光刻版共设计了两组对准标记，行成互补形式，如图10所示。阿拉伯数字1~7表示光刻版的套版次序。数字1代表标记版，是版图的基准掩膜版。第一套对准标记（上部）每层版相对于基准掩膜版内缩3μm。第二套对准标记（下部）每层版相对于基准掩膜版外扩3μm。 图10?对准标记 4.?????光刻版信息及单原胞版图 4.1?????光刻版编码标准 表1是SiC器件编码标准，此标准是根据电力电子事业部光刻版型号编码方法结合SiC器件自身特点修订而成。 表1? SiC器件编码标准 一 二 三 四 五 六 七 八 光刻板代号（字面） 光刻板边长（数字） 器件类型（字母）