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电子能谱分析法 几种分析方法比较 表3主要表面分析技术特性比较 分析技术 AES XPS ISS SIMS 测量类型 能量 能量 能量 质量（静） 质量（动） 测量 主要 元素 元素，化学键 元素 元素，同位素 元素，同位素 信息 辅助 像，化学键 深度分析， 同位素结构 化合物 成像，化合物 深度分析等 价带结构等 飞行质谱 深度 1nm 1nm 0.3nm 0.6nm 10nm 侧向 1-0.1?m 1mm-100?m 1mm 1mm 0.5-0.05?m 灵敏度（原子分数）10（E-3,-2） 10(E-3,-2) 10(E-2) 10(E-5) 10(E-6) 不能检测的元素 H,He H,He H -- -- 定量 容易程度 +++++ +++++ +++ + ++ 分析 准确度 ++ ++++ ++ + ++++ 使用容易程度 ++++ ++++ +++ ++ ++++ 灵活机动性 +++ ++++ +++ ++ +++ 总使用率（%） 40 40 5 5 10 表面分析 +++ ++++ +++++ ++++ + 薄膜分析 +++++ +++ ++ + +++++ 主要应用领域 金属,半导体 金,半,陶,有机 金,半 金,半,有 半,金,陶 二维分辨能力 0.1?m2 ,25-100?m2 1mm2-1cm2 1mm2 1mm2 有效推出期（年） 1968 1967 1967 1970 1968 X射线光电子能谱法（XPS） 基本原理（1） 电离能（气态）Ij = E2 – E1 +?Er + … 结合能（固态）Ebf = hv – Ekv’ - @sp Ekv’为从谱仪飞出来的光电子动能；@sp为谱仪功函数 通过测试飞出光电子能量Ekv’，而入射粒子的能量hv已知，即可得到电子与原子核的结合能Ebf。不同原子外层电子、或同一原子不同化学环境均有特定的结合能。 注意：单位电子击出的光电子数并非一个单位 （光照截面） 电子能谱仪简介 激发源 1.Ｘ射线源 2.紫外光源 X射线光电子能谱法 基本原理（2） 1.化学位移 能谱中表征样品芯层电子结合能的一系 列光电子谱峰称为元素的特征峰。 因原子所处化学环境不同，使原子芯层 电子结合能发生变化，则X射线光电子谱谱峰 位置发生移动，称之为谱峰的化学位移。 2.伴峰与谱峰分裂 能