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CMR效应及相关材料概述 仅供作业参考 CMR效应的发现和早期研究 钙钛矿锰氧化物的物理性质 CMR效应的影响因素 锰氧化物CMR效应的理论解释 磁性半导体 TL2MNO7 主要内容 磁性多层膜M/N/M结构显示出巨磁阻（GMR）效应，但由于磁性多层膜是人工的、非均质的，具有外凛特性，限制了进一步的应用。 钙钛矿型锰氧化物----LAMNO3。在特定的掺杂条件和一定的温度范围内，系统的磁电阻远大于GMR，称之为庞磁电阻（CMR）效应。内凛CMR性质对磁学具有很好的潜在应用价值。 CMR效应的发现和早期研究 1989年 KUster等发现NdPbMnO3样品在强磁场，180K左右具有很大的磁电阻效应。 1993年 Chahara等在La0.72Ca0.25MnOx薄膜中温度为220K 时获得MR=(R0-Rh)/R0=53%的磁电阻比 不久，jin等在La0.67Ca0.33MnO3薄膜样品中观察到MRh=(R0-Rh)/Rh=127000%的磁电阻比 国内熊光成等较早的研究了NdSrMnOx的CMR效应 CMR效应的发现和早期研究 不同时期、不同类型CMR锰氧化物的研究 CMR效应的发现和早期研究 CMR效应的发现和早期研究 MR峰值的大小与其对应的温度（约为居里温度）有关，温度越低，峰值越高 定性的说 Tc以上的顺磁相的电阻率随温度的降低而急剧增大，Tc以下的铁磁相的电阻率随温度的降低缓慢下降。外加磁场同样有利于系统的铁磁相变。 CMR效应的发现和早期研究 CMR效应的特点 发生在钙钛矿锰氧化物材料的载流子掺杂的特定浓度的区域。 系统的本征属性 在Tc附近可以得到非常大的负磁电阻效应 大多呈现各项同性 驱动磁场很大 钙钛矿锰氧化物的物理性质 晶体结构 晶场劈裂与Jahn-Teller 畸变 低温电阻率与高温电阻率 磁电阻 晶体结构 理想钙钛矿ABX3为简立方晶格 ， A在晶胞的体心，B位于晶胞的顶点，O原子则位于晶胞各棱的中点。 A和X呈立方立方密堆积排列，而B占据八面体空隙。 可以看出，所有的B原子都是通过X原子连接的，最近邻有六个X原子。 理想钙钛矿结构 上图理想钙矿钛结构的正负离子半径的几何关系，一般有ra+rx=2(rb+rx) 畸变钙钛矿结构 实际情况，会出现键长失配。大多数情况ra+rx2(rb+rx).使得钙钛矿结构中的BX6八面体受到挤压产生扭转或者变形。 上图为常见的畸变钙钛矿结构，即正交GdFeO3结构 钙钛矿锰氧化物的晶体结构影响因素 A位离子的大小直接影响到了MNO6 八面体的扭转程度，可以通过同价离子 的替代或多个元素替代进行调控 A-O键与B-O键的热膨胀系数 和压缩系数有着较大不同，改 变温度、压力可导致相变， 还有外加磁场、辐射等。 影响因素 容忍因子 外界条件 三价锰离子因其JT不稳定性， 决定了MNO6的八面体形状 锰的价态 晶场劈裂 孤立的Mn离子的价电子为五重简并态的3d态。分别是d3z2-r2,dx2-y2,dxy,dyz,dzx. 理想钙矿钛AMNO3中，锰离子处在正八面晶体场中，它与周围的氧离子之间的库伦作用导致3d电子退简并化，形成晶场劈裂。 Jahn-Teller 畸变 对于MN4+离子，原子内电子电子相互作用很强，使得t2g电子形成Sc=3/2的局域芯自旋。对于MN3+离子，其3D轨道上第4个离子与t2g的芯自旋间也发生洪特耦合，使得其占据eg轨道。这种情况下会发生Jahn-Teller 畸变。 低温电阻率 锰氧化物铁磁体的电阻率与其CMR效应关系密切。Urushibara等系统的研究了La1-xSrxMnO3的单晶电磁性质。 可以看出，0.1x0.15时， 电阻在铁磁相变点以下开 始下降，而后电阻又急剧 增加，称为铁磁绝缘体。 X0.175时，低温铁磁相 呈金属导电性。X0.3时， 高温顺磁相呈现金属导电性。 低温电阻率 高温电阻率 当系统的温度明显高于居里温度时，磁关联几乎可以忽略。电子-晶格相互作用可能占据优势。 锰氧化物的高温电阻率测量显示出小极化子跳跃性。 磁电阻 锰氧化物铁磁体的电阻率在外磁场下明显降低，产生CMR效应。从图中可以看出，外磁场导致系统的电阻在金属-绝缘体转变点附近明显下降。 电阻率随外磁场的变化 居里点附近不同温度下，当温度较高时，零场附近的电