07-半导体电子论.ppt

第7章 半导体电子论 热平衡下电子和空穴的浓度 半导体中的杂质电子，或价带中的电子通过吸收热能，激发到导带中 —— 载流子的产生 电子回落到价带中和空穴发生复合 —— 载流子的复合 —— 达到平衡时，载流子的产生率和复合率相等 电子和空穴的浓度有了一定的分布 电子和空穴的浓度满足 —— 热平衡条件 在外界的影响作用下，电子和空穴浓度可能偏离平衡值 即有 —— 非平衡载流子 非平衡电子和非平衡空穴的浓度相同 —— 如本征光吸收 —— 本征光吸收产生电子 — 空穴对 非平衡载流子对多子和少子的影响 多子的数目很大 —— 非平衡载流子对多子的影响不明显 —— 对少子将产生很大影响 —— 在讨论非平衡载流子的问题时 主要关心的是非平衡少数载流子 1. 非平衡载流子的复合和寿命 在热平衡下，载流子的浓度具有稳定值 非平衡载流子 —— 光照可以产生载流子 —— 开始光照，载流子的产生率增大，同时复合率也增大 载流子的浓度偏离热平衡时的浓度 一段时间的光照后，非平衡载流子的浓度具有确定的数目 —— 载流子的产生率和复合率相等 载流子的浓度到达一个新的平衡 —— 撤去光照，载流子复合率大于产生率，经过一段时间后 载流子的浓度又恢复到热平衡下的数值 —— 单位时间、单位体积复合的载流子数目 ——