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1.????acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)
T6^EZZY ?2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 v_yw@ ?3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 xw.A #Zb\_ ?4. Acid：酸 Q1Kfi8h} ?5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大） }H53~@WP ?6. Align mark(key)：对位标记 )Om*@;r( ?7. Alloy：合金 bS ,hbDt ?8. Aluminum：铝 B |JAi? ?9. Ammonia：氨水 e1yt9@k, ?10. Ammonium fluoride：NH4F 8]c2r%J ?11. Ammonium hydroxide：NH4OH iqsCB%;5 ?12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） hPB9@ hT$ ?13. Analog：模拟的 =IZT(8 ?14. Angstrom：A（1E-10m）埃 ms-*c ?15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） ~12EQacOT ?16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） RNk\.}m ?17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） NV @
R ?18. Antimony(Sb)锑 XS
B{H ?19. Argon(Ar)氩 ^CYl\.Y@ ?20. Arsenic(As)砷 XX TL.. ?21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 KA Ji ?22. Arsine(AsH3) #P9~}JB3, ?23. Asher：去胶机 g}oi!f$| ?24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） s]0{a.Cpv ?25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） }H,h)T ?26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） m7]v, ?27. Baseline：标准流程 `
$IK `O ?28. Benchmark：基准 |^I0dR/w: ?29. Bipolar：双极 eKgBy8tNS0 ?30. Boat：扩散用（石英）舟 M/sl; ?31. CD： （Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 )EuvRLo{S7 ?32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 YlQ=5u^+ ?33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 SM#]H-3 ?34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 gCSiBT(7 ?35. Chip：碎片或芯片。 =:Fc;ncK ?36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 ~$cV: O7 ?37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。 G6P?2@ ?38. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。 Y
_IF;V\ ?39. Compensation doping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。 6 7.+ .2 ?40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。 %D34/=(X ?41. Computer-aided design（CAD）：计算机辅助设计。 FaSf7D`
C ?42. Conductivity type：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中