模拟电子线路_场效应管_王士敏.pptVIP

P 沟道耗尽型 N P P G S D G S D 予埋了导电沟道 耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 ID UGS VT 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 7.4 MOS门电路 7.4..1 MOS反相器 0 UDS ID 负载线 ui=“1” ui=“0” uo=“0” uo=“1” UCC ui uo 实际结构 UCC ui uo 等效结构 UCC ui uo 7.4.2 CMOS反相器 NMOS管 PMOS管 CMOS电路 UCC S T2 D T1 ui uo 工作原理： ui=0时： ugs2=?UCC ， T2导通、T1截止，uo=“１”； ui=1时： T1导通、T2截止，uo=“0”。 UCC A F B A UCC F B A UCC F B A B UCC F CMOS A B F VDD C C VDD VO / Vi Vi /VO C C TG C C CMOS传输门 C VDD VO Vi C CMOS传输过程 1 0 Vi VO * 电子技术 第七章 场效应管 模拟电路部分 §7.1 概述 场效应管 (Field Effect Trasistor) 双极型晶体管 (Bipolar Junction Transistor,BJ