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芯片设计实现介绍 北京中电华大电子设计有限责任公司 微电子技术 20世纪最伟大的技术 信息产业最重要的技术 进步最快的技术 基尔比(Jack Kilby)的第一个安置在半导体锗片上的电路取得了成功－“相移振荡器”，世界上第一块集成电路在TI诞生，基尔比据此获得诺比尔物理奖。 芯片是现代社会生活消费类产品的基石 集成电路和集成电路设计概念 集成电路：把组成电路的元件、器件以及相互间的连线放在单个芯片上，整个电路就在这个芯片上，把这个芯片放到腔体中进行封装，电路与外部的连接靠引脚完成。 集成电路设计：根据电路功能和性能的要求，在正确选择系统配置、电路形式、器件结构、工艺方案和设计规则的情况下，尽量减小芯片面积，降低设计成本，缩短设计周期，以保证全局优化，设计出满足要求的集成电路。 集成电路设计输出：最终输出是掩膜版图GDS数据，通过制版和工艺流片可以得到所需的集成电路。设计与加工之间的接口是版图数据。 微电子技术飞速发展与摩尔定律 自从芯片诞生以来，芯片的发展基本上遵循了英特尔公司创始人之一的Gordon?E.?Moore 1965年预言的摩尔定律。该定律说： 当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻两倍以上。 芯片设计是集成电路产业链中的关键环节，是连接市场需求和芯片加工的重要桥梁，是表现芯片创意、知识产权与专利的重要载体。设计的本质是创新，芯片加工工艺存在着物理限制的可能，而芯片设计则可以在不同层次的加工舞台上发挥无尽的创造活力，从这个意义上说，忽略设计，就忽略了明天，掌握了设计，就掌握了未来 集成电路设计过程和方法 电子设计自动化 CAD辅助设计支持规模越来越大、复杂度越来越高的芯片开发 第一代IC设计CAD工具出现于20世纪60年代末70年代初，但只能用于芯片的版图设计及版图设计规则的检查。 第二代CAD系统随着工作站的推出，出现于80年代。其不仅具有图形处理能力，而且还具有原理图输入和模拟能力 。 如今CAD工具已进入了第三代，称之为EDA系统。其主要标志是工具支持全流程系统级到版图设计。 芯片分层分级设计 系统级 算法级 寄存器传输级（RTL） 门级 电路（开关）级 物理级 系统级 行为、性能描述 CPU、存储器、控制器 子系统、电路板 算法级 I/O算法 硬件模块、数据结构 部件间物理连接 RTL级 状态表 ALU、寄存器、MUX 宏单元 门级 布尔方程 门、触发器 单元版图 电路级 微分方程 晶体管、电阻、电容 晶体管版图 物理级 全芯片版图 芯片设计规模和加工工艺节点 设计规模：一般以等效逻辑门来计算，一个二输入与非门算1个门，一个触发器等效6个门，现在SoC都在100万门-1000万门级别。 工艺节点：一般以MOS晶体管沟通长度的特征值来表征工艺节点，如0.18um、0.13um、90nm、65nm、40nm、28nm，为了降低成本，缩小芯片面积，还会有0.162um、0.11um、55nm等半工艺节点，它是通过光学的处理方法把版图数据X、Y方向各缩小10%，达到面积缩小20%。 SMIC 0.18um工艺MOS器件沟道长度 MOS器件沟道长度为0.18um，是标准的0.18um工艺，版图设计为0.18um，最后在硅片器件也是0.18um。 HG EF130 0.13um工艺MOS器件沟道长度 MOS器件沟道长度为0.15um，是非标准的0.13um工艺，版图设计为0.15um，最后在硅片器件也是0.15um。后端工艺采用90nm工艺，最后等效看相当于0.13um的水平 TSMC 65nm 工艺MOS器件沟道长度 MOS器件沟道长度为0.65，是标准的0.65nm工艺，版图设计为60nm，经过光学处理最后在硅片器件是65nm。 SMIC 55nm 工艺MOS器件沟道长度 MOS器件沟道长度为55nm，是半工艺节点，版图设计为60nm，经过光学处理最后在硅片器件是55nm。 芯片设计前端流程图 SoC芯片结构 基于Verilog硬件描述语言的前端设计 Verilog编码示例 复杂模块的编码示例 芯片仿真验证 波形图能够直观看到芯片的功能，供设计者确认和debug使用 模拟电路设计 模拟电路仿真 标准单元版图设计 标准单元是已设计好的具有一定逻辑功能的单元电路,这些单元电路已经完成了紧凑的布局布线,经过严格测试,能保证逻辑功能和严格时序 芯片设计实现流程图 基于标准单元的芯片版图设计 概念：从标准单元库中调用事先经过精心设计的逻辑单元，并排列成行，行间留有可调整的布线通道，再按功能要求将各内部单元以及输入/输出单元连接起来，形成所需的专用电路 芯片布局：芯片中心是单元区，输入/输出单元和压焊块在芯片四周，基本