第三章 场效应管及场效应管放大器.ppt

（2）交流分析 场效应管（Field Effect Transistor） 一种压控流型器件 单极型半导体器件 低噪声、热稳定性好 易于大规模集成化 庞大的“家族” 场效应管 FET 结型场效应管 JFET 绝缘栅型场效应管 MOSFET 增强型 MOSFET 耗尽型 MOSFET N沟道 MOSFET P沟道 MOSFET 增强型 MOSFET 耗尽型 MOSFET N沟道 JFET P沟道 JFET N沟道增强型MOSFET的工作原理 D(Drain)为漏极 G(Gate)为栅极 S(Source)为源极 N沟道增强型MOSFET 结构示意图及符号 虚线：增强型 箭头朝里：N沟道 N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极。一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表示。 结构及工艺说明 工作原理 1．栅源电压VGS的控制作用 （1）当VGS=0V时：漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流，D、S不通。 （2）当栅极加有电压但0＜VGS＜VGS(th)时： 因为栅极和衬底间的电容效应，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥，就会出现一个负离子的耗尽层。因为VGS不足够大，无法形成导电沟道将漏极和源极沟通，所以D、S仍然不通。 VGS VGS(th) VDS VGS(th)---开启电压 （3）当VGS＞VGS(th)时： 会在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，形成沟道。如果此时加有漏源电压VDS，就可以形成漏极电流ID。在栅极下方形成的导电沟道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层。 随着VGS的继续增加，ID将不断增加。在VGS=0V时ID=0，只有当VGS＞VGS(th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。 VGS VGS(th) VDS N沟道增强型MOSFET的转移特性曲线 VGS对漏极电流的控制关系称为转移特性曲线： 转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 gm 的量纲为mA/V(mS)，所以gm也称为跨导。跨导的定义式: gm=?ID/?VGS? VDS=const 2．漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 因为：VGD=VGS－VDS 所以：当VDS为0或较小时，（VGD≈VGS)＞VGS(th)，沟道分布如右图，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。 漏源电压VDS对沟道的影响 当VGS＞VGS(th) 且固定为某一值时，漏源电压VDS对沟道的影响如图： 当VDS增加到使VGD=VGS(th)时，沟道如图 (b) ，称为预夹断。 当VDS增加到VGD?VGS(th)时，沟道如图 (c)，此时预夹断区域加长，VDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， ID趋于不变。 N沟道增强型MOSFET的漏极输出特性曲线 当VGS＞VGS(th)且固定为某一值时，VDS与ID的关系如下： N沟道耗尽型场效应管 VGS0时：反型层变宽，沟道电阻变小，iD增大。 VGS0时：反型层变窄，沟道电阻变大，iD减小。 VGS= VGS(off)时：反型层消失，iD=0。 N沟道耗尽型场效应管的特性曲线 vGS VGS(off) O iD vGS O iD VGS(off) VGS=0 VGS0时：反型层变宽，沟道电阻变小，iD增大。 VGS0时：反型层变窄，沟道电阻变大，iD减小。 VGS= VGS(off)时：反型层消失，iD=0。 结型场效应三极管 结型场效应三极管的结构 (1)结型场效应三极管的结构 JFET的结构与MOSFET相似，工作机理则相同。JFET的结构如左图所，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N 型沟道的结构。一个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。 (2) 结型场效应三极管的工作原理 ① 栅源电压对沟道的控制作用 根据结型场效应三极管的结构，因它没有绝缘层，只能工作在反偏的条件下，对于N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区，否则将会出现栅流。现以N沟道为例说明其工作原理。 当VGS=0时，若在漏、源之间加有一定电压，在漏、源间将形 成多子的漂移运动，产生漏极电流。 g s d N 当VGS＜0时，PN结反偏，耗尽层加宽，漏、源间的沟道将变窄，ID将减小，VGS继续减小可直至为0。当漏极电流为零