Chapter2Structureandpropertyofmaterials-.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 相关的光化学过程（Photochemistry） 光聚合 Photopolymerization * 光交联 Photocrosslinking * Chapter8 Polymer 光致增溶 Photoinduced solubilization * Chapter8 Polymer 1. IC制作的光刻胶 光刻胶涂覆于表面为SiO2的单晶硅片上，在单晶硅片上制作出集成微小电阻、电容、晶体管等微电子元器件。 硅基片 n-掺杂 n-掺杂 p-掺杂 氧化物 源极 漏极 栅极 金属氧化物半导体（MOS）晶体管示意图 * Chapter8 Polymer 光刻原理 对底材进行区域选择性保护，裸露区域被刻蚀。 * Chapter8 Polymer Manufacturing steps The manufacturing process involves four main steps: Deposition （沉积）：单晶硅片上沉积异相薄膜 SiO2, Al, etc., Doping （掺杂）：通过掺杂改变导电性 Photolithography（光成像）： 照相制版，制掩膜 Etching（蚀刻）：转印立体图案至单晶硅片上 * Chapter8 Polymer Process * Chapter8 Polymer Etching result An ion beam milled set of tracks in Si. The photoresist is still in place. Notice the accurate pattern transfer from the mask into the Si, and also that the photoresist mask is beginning to show signs of damage and wear. * Chapter8 Polymer 正性与负性光刻胶 光刻胶 － 光致抗蚀剂 (photoresist) 正性光刻胶－光致可溶（易溶） 负性光刻胶－光致不溶（难溶） 正性光刻胶 光致增溶机理 * Chapter8 Polymer * 邻重氮萘醌 + 线性酚醛环氧 Chapter8 Polymer 酸增殖反应 光照下光产酸剂分解出H+， 然后H+催化保护基团的脱落，同时产生H+，后者又可以作为催化剂，如此不断循环，使酸浓度越来越高 * Chapter8 Polymer 负性光刻胶 机理：光致耦合、交联等； 代表类型：聚乙烯醇肉桂酸酯、环化橡胶-多叠氮体系、水性光刻胶等 * Chapter8 Polymer 环化橡胶-多叠氮感光体系 叠氮光交联机理： * Chapter8 Polymer 双叠氮光交联剂 * Chapter8 Polymer 水溶性光刻胶 水溶性高分子 + 水溶性 多叠氮感光交联剂 水溶性高分子：聚乙烯基吡咯烷酮、聚丙烯酰胺等； 水溶性叠氮光敏交联剂： 不用苯系和卤代溶剂，环保 * 对光刻胶的要求 ???光刻胶的一般要求 要求有很好的成膜性。光刻时一般采用旋转涂胶的办法，即在硅片的中心滴一滴光刻胶，然后在高速旋转台上旋转，使光刻胶均匀分布在硅片上成膜。 要求胶膜对二氧化硅有强的附着力。 要有足够的光敏性。 要有良好的分辨率，所谓分辨率就是光刻可达到的最细线条的宽度。 对光刻所用腐蚀液有良好的抗腐蚀性等等。 * Chapter8 Polymer * * * * * * * * * * * * * * * * Chapter8 Polymer * 2.分子导线 一个分子类似于一根导线 可用于高灵敏度检测、超大规模集成技术等 “模板聚合、分子束沉积等方法制备“分子导线” 或导电高分子微管(或纳米管) Chapter8 Polymer * 3.二次电池 高分子掺杂态储存电能、脱掺杂过程中释放电能 ——全塑电池 输出电压3V、电池容量3mA.h，复充放电上千次 Chapter8 Polymer * 4.生物传感器 葡萄糖传感器、尿素传感器、乳酸传感器、胆固醇传感器 Chapter8 Polymer * 5.气体传感器 导电高分子与大气某些介质作用 ----电导率改变, 除去介质 ----恢复 （掺杂/或脱掺杂过程） 可用作选择性高、灵敏度高和重复性好的气体传感器。 Chapter8 Polymer * 6.雷达隐身材料 导电性可以在绝缘体、半导体、金属导体 之间变化——不同的吸波性能 密度小——轻 加工性能——薄 稳定性较好——高温使用 Chapter8 Polymer