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模拟电子技术复习题 1、什么是N型半导体？P型半导体？ 2、在图示电路中，已知变压器副边电压有效值U2，变压器内阻和二极管导通电压均可忽略不计，R RL（R为电感线圈电阻），uD波形如图所示， ?试述下图的工作原理已经U2,UD,UO间的关系。 3功率放大电路的分类？给出OCL,OTL的电路图及工作原理。乙类功放有什么缺点，如何改进，给出改进后电路图及原理。 5、图中 VT为小功率硅晶体管，当Rb不同，VT可能处于放大、饱和、截止状态，把不同状态下基射极电压UBE、集射极电压UCE的大致数值范围填入表内。 ? ????? 晶体管状态 ?? 结电压 放大 饱和 截止 UBE ? ? ? UCE ? ? ? 6、差分放大电路如图所示。各晶体管参数相同，当环境温度（T）变化，如温度升高（用T表示），在分析该电路抑制温漂，稳定工作电流原理后，用箭头（增大用表示，减小用?表示）填画下列各电量后的括号： T（）?IC1＝IC2（??? ）?UB4＝UB5（??? ）?UB3（??? ）?IE3（??? ）? IC1＝IC2（??? ）。 ? 7、图（a）所示为某电路的方框图，已知uI、uO1～uO3的波形如图（b）所示。将各电路的名称分别填入空内： 1．电路1为???????????????? ； 2．电路2为???????????????? ； 3．电路3为???????????????? 。 ? ? ? 8、图（a）所示电路中，A为理想运算放大器，其输出电压的最大幅度为V；输入信号、的波形如图（b）所示。 试画出的波形。 ? ? ? 9、已知图示电路中晶体管的＝120，，UBEQ＝0.7V，电容的容量足够大，对交流信号可视为短路。 1．若要求静态电流＝1.5mA，估算的值； 2．求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。 ? 10、某放大电路的低频段交流等效电路如图所示，求放大电路的下限截止频率fL。 ? 11、某放大电路电的折线近似波特图如图所示，试问该放大电路是同相放大电路还是反向放大电路，它的上限截止频率、下限截止频率和通频带宽度各为多少？ ? 12、反馈放大电路如图所示，设电容器对交流信号均可视为短路。 1．指出级间交流反馈支路、极性和组态及其对输入电阻、输出电阻的影响； 2．写出深度负反馈条件下 、、的表达式。 ? 13、试为图示晶体管多级放大电路结构框图，选用合适的单元电路（即共射、共集、共基组态）填入框内，以使该多级放大电路有尽可能大的源电压放大倍数。 ? 14、从括号中选择正确的答案，用A、B、C填空。 在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA、－0.03mA、1.23mA。由此可判断电极①是____，电极②是____，电极③是____（A．发射极，? B．基极，? C．集电极）；该晶体管的类型是____（A．PNP型，?? B．NPN型）；该晶体管的共射电流放大系数约为____（A．40 ，??? B．100，?? C．400）。 ? 15、]在晶体管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的对地静态电位如图所示，某同学判断各晶体管的类型和电极的位置如表中所示。试改正该同学判断中的错误之处，把正确答案填在错误之后的空格内。 ? 图号 晶体管类型 晶体管材料 ①对应的电极 ②对应的电极 ③对应的电极 （a） NPN ? 硅 ? b ? e ? c ? （b） PNP ? 锗 ? b ? e ? c ? （c） PNP ? 硅 ? e ? c ? b ? ? 16、电路如图（a）所示，A1、A2为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为。填空： 1．A1组成什么电路？A2组成什么电路；VD1、VD2和R组成什么电路？起什么作用？ 2．在图（b）中画出图（a）所示电路的电压传输特性。 ? ? ? 17、 ? 设VD1、VD2的正向压降为0.3V，试分析在不同的U1、U2组态下，VD1、VD2是导通还是截止，并求UO的值，把正确答案填入表内。 ? ? ? U1/V U2/V VD1 ?VD2 UO/V 0 0 ? ? ? 0 3 ? ? ? 3 0 ? ? ? 3 3 ? ? ? ? 18、已知图示电路中晶体管的＝100，，UBEQ＝0.7V，电容的容量足够大，对交流信号可视为短路。 1．估算电路静态时的、、； 2．求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻； 3．当负载电阻开路时，求电压放大倍数。 ? 19、图示放大电路中，已知A1、A2为理想运算放大器。 1．写出输出电压与输入电压、间的关系式。 2．已知当时，＝3V，问＝？ ? 20、已知图示电路中晶体管的 ＝100，可忽略不计，电容足够大，对交流信号可视为短路。 1．调整使＝1mA，求此时输出电阻； 2．重新调整，使＝2mA，此时输出电阻将发生