AlNdiamond压电薄膜的制备方法程序.doc

AlN/diamond压电薄膜的制备方法 专业班级： 材料1109班 作者姓名： 张志勇 学号：0座机电话号码3 摘要 压电薄膜属于压电材料的范畴，其原理是利用压电效应完成机械能与电能之间的转换。压电薄膜被广泛应用于声表面波器件，主要利用声表面波主要沿物体表面传播的特点。压电薄膜具有体积小，所用材料极少的特点，非常适合制造体积微小的声表面波器件，特别是随着电子封装技术的发展，电子器件将会越来越小，压电薄膜的应用必将越来越广。声表面波由于传播速度远远慢于电磁波的传播速度，将电磁波信号转换成声波信号后，声波信号便于采集与处理，因而声表面波器件被广泛应用与信息的采集与处理。随着信息技术的发展，声表面波器件将面临超高频率，超高效率，超低损耗等超高要求。压电薄膜是声表面波器件的最核心结构，压电薄膜的质量直接决定能否制造出合格的声表面波器件。 AlN化学稳定性佳，介电损耗小，机电耦合系数高（约0.2）热膨胀系数很低，与常用半导体材料相近，因此易与其它半导体材料兼容。沿c轴取向的AlN 具有非常好的压电性和声表面波高速传播性能，传声速度高达 11.3km/s，是制造高性能声表面波器件的理想材料。声表面波器件工作频率和声表面波速率成正比，提高速率可以提高频率，所以用高声速材料作为声表面波衬底可以提高声表面波器件工作频率。由于在所有材料中金刚石具有最高纵波声速 18000m/s ，且材料密度低，所以金刚石是这种方法最理想的材料。 本文将介绍的AlN/diamond薄膜是将拥有极高表面声波传递速度的diamond层与拥有很大机电耦合系数，低介电损耗的AlN层相结合，制造用于超高频率声表面波器件的方法。先利用CVD法在Si基板上制备超光滑表面的diamond层，再在diamond层上用射频磁控溅射法制备出C轴取向的AlN层。由于制约高频声表面波器件发展的主要是压电薄膜的质量，因而，改善压电薄膜质量，优化薄膜制备工艺的研究有很大的实用价值。 关键词：diamond薄膜，AlN薄膜, CVD法，射频磁控溅射 C轴取向 目录 第一章 引言............................................................... 1.1 声表面波器件结构及特点...................................................... 1.2国内外研究现状 ..................................................... 第二章 金刚石薄膜的制备...................................................6 2.1 薄膜简介..............................................................6 2.2 金刚石薄膜的结构和性质................................................6 2.3 化学气相沉积金刚石薄膜................................................9 2.3.3 热丝CVD法 .........................................................12 2.4 化学气相沉积金刚石膜的机理综述.......................................13 2.4.1 金刚石形核 ........................................................13 2.4.2 金刚石的生长 ......................................................14 2.4.3 工艺参数与直流喷射CVD金刚石膜质量的关系 ...........................15 2.5 小结.................................................................19 第三章 AlN薄膜概述.......................................................20 3.1AlN薄膜材料结构和特性 ................................................20 第四章 AlN薄膜制备技术...................................................24 4.1 射频磁控溅射...........................................