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带有自偏置功能的高性能带隙基准源电路 　　【摘 要】本文采用HLMC 55LP工艺，设计了一个输入范围1.6V-3.3V，输出范围为1.2V±2%的BGR（带隙基准源）。本文首先介绍BGR的工作原理，同时着重介绍本设计中所使用的新的设计方法及其优势。本次设计经过前后仿验证，得到高的输出精度。 　　【关键词】BGR（带隙基准源）；环路补偿；自偏置；Trimming（修调） 　　1 介绍 　　模拟电路中广泛地包含电压基准（reference voltage）和电流基准（current reference）。在数/模转换器、模/数转换器等电路中，基准电压的精度直接决定着这些电路的性能。这种基准应该与电源和工艺参数的关系很小，但是与温度的关系是确定的。在大多数应用中，所要求的温度关系通常分为与绝对温度成正比（PTAT）和与温度无关2种。而目前主流的基准源都是采用后者，即与温度无关。本设计就是设计一个不受温度影响的输出精度高的基准源。 　　2 基本原理 　　由于大多数工艺参数和温度有关，因此，和温度无关，即和工艺无关。利用PN结二极管的基极-发射结正向电压，具有负温度系数；而不同电流密度下的二个PN结二极管的基极-发射极正向电压之差，具有正温度系数；将两个具有正温度系数和负温度系数的量加权相加，则得到量显示零温度系数。输出电压公式为： 　　VREF=VBE+KVT（1） 　　3 负温度系数电压的产生 　　4 正温度系数电压的产生 　　两个三极管工作在不同的电流密度下，它们的基极-发射极电压的差值与绝对温度成正比。如果两个同样的三极管（IS1=IS2），偏置的集电极电流分别为nI0和I0，并忽略他们的基极电流，那么： 　　5 一阶温度补偿带隙基准源 　　将正、负温度系数的电压加权相加，就可以得到一个近似与温度无关的基准电压。常见的一阶可调基准源电路如图1所示。 　　式中：N为Q2与Q1的发射结面积之比，式（4）中第一项具有负的温度系数，第二项具有正、负温度系数，合理设计R0与R1的比值和N的值，就可以得到在某一温度下的零温度系数的一阶基准电压。式（5）中方括号内是约为1.25 V的一阶温度无关基准电压，通过调节R2/R0的比值，可以得到不同大小的基准电压。 　　6 电路结构及原理分析 　　本设计中使用了新的电路结构和新的设计方法，比如使用了新的启动电路结构，自偏置电路结构和源极负反馈补偿的方法。图2为本文设计的BGR基本电路图，包含A启动电路、B运放电路及反馈电路、C带隙核心电路。 　　其中图2 中由PM8，PM9，NM4组成了本设计的启动电路部分；由PM1，PM2，PM5，PM6，NM1，NM2，NM3组成了二级运放电路部分；由PM3，PM7，PM4，Q1，Q2，R1，R2，R3，R4组成带隙核心电路。同时通过PM1，PM2，PM3，PM7组成的镜像，运放的偏置电流由带隙基准主体电路提供，将之称为自偏置带隙基准电路。 　　7 启动电路 　　在电源上电的过程中，NM4逐渐开启，使PM9的栅电压为低电压。PM9开启，将VN拉至电源电压。NM3开启，产生偏置电流，使得运放和带隙基准主体开始工作。这是以自偏置的带隙基准为例。 　　整个带隙基准电路正常工作之后，PM8镜像PM2的电流，该电流在NM4上产生电压，当该电压大于电源电压减去PM9的阈值电压时，PM9关闭，启动电路不再对主体电路产生影响。 　　当带隙基准电路因为某种情况进入小电流工作的简并状态时，PM8镜像到的电流将减小，此时NM4上的电压下降，PM9开启，VN点电压上升，NM3开启，产生偏置电流使得运放和带隙基准主体开始工作。 　　从本设计中可以看到，当运放采用带隙基准主体电路提供偏置电流（自偏置）的时候，本项目的启动电路可以同时使得运放和带隙基准主体开始工作，可加快电路的启动过程。启动电路是否工作是通过镜像工作电流的方式，相比常用的启动电路方式（如检测三级管上的电压，通常是与MOS管阈值电压作比较）更加简单，更加可靠。 　　8 运放 　　本设计中使用的运放是简单的二级运放结构，但是同时使用了自偏置的的结构，如图2中B部分的电路。 　　当启动电路开启时，通过VN点使运放NM3 的栅极电压增大，使NM3开通，然后运放通过PM2形成的自偏置环路开始自启工作。这样设计省去了传统设计中的偏置电流产生电路，很大程度上减小了电路功耗。 　　9 带隙核心电路 　　当运放稳定后，通过反馈使其输入电压相等，使得VB1=VB2=VBE，此时PM3、PM4、PM7产生镜像比例电流，流过R1的电流是PTAT电流，它加到了一个VBE/R3 的电流上，此时通过电流镜像，使得PM3 得到了最终的输出电流，电阻R4决定了输出电压VBGH。 　　而在本设计中