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- 2016-09-17 发布于湖北
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四、PN结的反向击穿 当外加反向电压时,PN结的反向电流很小,但当反向电压增大到一定值时,反向电流将随反向电压的增大而急剧增大,此现象为反向击穿。 雪崩击穿:低掺杂的PN结,击穿电压高(6~40V) 电击穿 齐纳击穿:高掺杂的PN结,击穿电压低(1~6V) 电击穿可逆,可为人们利用 热击穿:反向电流与反向电压的乘积超过PN结容许的耗散功率,热量散不出去而使结温上升,直至过热而烧。 热击穿应尽量避免 1.3 晶体二极管 一、结构与类型 二极管 = PN结 + 管壳 + 引线 N P 结构 符号 阳极 + 阴极 - D 1.二极管按结构分三大类: (1) 点接触型二极管 PN结面积小,结电容小, 用于检波和变频等高频电 路,及小电流和脉冲数字 电路。 (3) 平面型二极管 用于集成电路制造工艺中。 PN 结面积可大可小,用 于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大,用 于低频大电流整流电路。 2.半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下: 2AP9 用数字代表同类器件的不同规格。 代表器件的类型,P为普通管,Z为整流管,K为开关管。 代表器件的材料,A为N型Ge,B为P型G
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