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模拟电子技术基础简明教程 杨素行 主编 —多媒体教学课件 主讲人：孙秀婷 绪　论（第一讲） 1. 课程的性质：专业基础课（电类专业） 2. 特点：?理论性很强 ?实践性很强 3. 研究内容：?电子元器件（二极管、三极管） ?电子电路 以器件为基础，以信号为主线，研究各种模拟电子电路的工作原理、特点及性能指标等。 4. 教学目标 能够对一般性的、常用的电子电路进行分析，同时对较简单的单元电路进行设计。 5. 学习方法 重点掌握基本概念、基本电路的分析、计算及设计方法。 6. 教学参考书 童诗白主编，《模拟电子技术基础》 第二版，高教出版社 康华光主编，《电子技术基础》 模拟部分 第三版，高教出版社 本章重点 补充：二级管的模型 1.理想模型 所谓理想模型，是指在正向偏置时，其管压降为零，相当于开关的闭合。当反向偏置时，其电流为零，阻抗为无穷，相当于开关的断开。具有这种理想特性的二极管也叫做理想二极管。 在实际电路中，当电源电压远大于二极管的管压降时，利用此模型分析是可行的。 2.恒压降模型 所谓恒压降模型，是指二极管在正向导通时，其管压降为恒定值，且不随电流而变化。硅管的管压降为0.7V,锗管的管压降为0.3V。 在实际电路中，此模型的应用非常广泛。 1. 共射电流放大系数 ? 2. 共射直流电流放大系数 忽略穿透电流 ICEO 时， 3. 共基电流放大系数 ? 4. 共基直流电流放大系数 忽略反向饱和电流 ICBO 时， ? 和 ? 这两个参数不是独立的，而是互相联系，关系为： 二、反向饱和电流 1. 集电极和基极之间的反向饱和电流 ICBO 2.集电极和发射极之间的穿透电流 ICEO (a)ICBO测量电路 (b)ICEO测量电路 ICBO c e b ?A ICEO ?A c e b 小功率锗管 ICBO 约为几微安；硅管的 ICBO 小，有的为纳安数量级。 　　当 b 开路时， c 和 e 之间的电流。 值愈大，则该管的 ICEO 也愈大。 图 1.3.11　反向饱和电流的测量电路 三、 极限参数 1. 集电极最大允许电流 ICM 当 IC 过大时，三极管的 ? 值要减小。? 值下降到额定值的三分之二,这时的IC 称为ICM 2. 集电极最大允许耗散功率 PCM 过 损 耗 区 安 全 工 作 区 将 IC 与 UCE 乘积等于规定的 PCM 值各点连接起来，可得一条双曲线。 ICUCE PCM 为安全工作区 ICUCE PCM 为过损耗区 IC UCE O PCM = ICUCE 安 全 工 作 区 安 全 工 作 区 过 损 耗 区 过 损 耗 区 图 1.3.11　三极管的安全工作区 3. 极间反向击穿电压 外加在三极管各电极之间的最大允许反向电压，若超过则反向电流急增，可能击穿管子。 　　U(BR)CEO：基极开路时，集电极和发射极之间的反向击穿电压。 　　U(BR)CBO：发射极开路时，集电极和基极之间的反向击穿电压。 　　安全工作区同时要受 PCM、ICM 和U(BR)CEO限制。 过电压 IC U(BR)CEO UCE O 过 损 耗 区 安 全 工 作 区 ICM 过流区 图 1.3.11　三极管的安全工作区 1.3.5　PNP 型三极管 　　放大原理与 NPN 型基本相同，但为了保证发射结正偏，集电结反偏，外加电源的极性与 NPN 正好相反。 图 1.3.13　三极管外加电源的极性 (a) NPN 型 VCC VBB RC Rb ~ N N P + ? ? + uo ui (b) PNP 型 VCC VBB RC Rb ~ + ? ? + uo ui PNP 三极管电流和电压实际方向。 UCE UBE + ? + ? IE IB IC e b C UCE UBE (+) (?) IE IB IC e b C (+) (?) PNP 三极管各极电流和电压的规定正方向。 PNP 三极管中各极电流实