第四章半导体的导电性学习课件.ppt

图12-4 1 2 3 4 1-轻掺杂n型 2-较强掺杂n型 3-较轻掺杂p型 4-较强掺杂p型 ND或NA升高，RH下降，RH～T 变化规律一样 4、 霍耳效应的应用 得到半导体材料的重要物理性质: ?导电类型; ?载流子浓度 (掺杂浓度, 杂质电离能, 能隙宽度); ?讨论散射机理: Hall迁移率μH和电导迁移率μ的比较 Hall器件: VH = RHIXBZ / d * * 我们在这一章中除了强电场效应这一节内容，其他内容都是基于以下三个假设： 半导体样品上的温度处处相等都是均匀的，没有温度梯度存在； 为了改善半导体材料的性质，我们所使用的半导体并不是本征半导体，往往掺入其他元素。在这里我们认为样品是均匀掺杂的。 半导体材料所处的电场是弱电场。一般这个电场是不是弱场的标准是看是不是小于10的三次方。 通过以上三个假设，我们讨论起来就比较容易，物理模型更加清楚。当然在现实中，这样理想的样品从严格的意义上讲，我们并不能得到。但是可以近似地认为样品就是这样理想化的。如果想再进一步分析，就可以在理想结果的基础上再进行修正得到更加接近真实的规律结果。 * 下面我们来学习第一节载流子的漂移运动。在这一节里我们先看载流子在有电场和没有电场存在不同的运动方式，引出重要的概念迁移率，然后将欧姆定律和迁移率联系起来，从而将宏观的导电现象与微观的载流子联系起来。 * 面我们来看载流子的运动。在没有施加外在电场的时候，半导体是没有电流的。在半导体内部载流子在做无规则的热运动。载流子不断的碰撞，散射，散射后又向各个方向运动。如果我们给它足够的时间，载流子向各个方向都运动，那么叠加起来，它实际上并没有离开原来的位置多远。在半导体中就没有形成载流子流，从而没有电流。 * 在施加电场后，在每次被散射后虽然载流子的运动方向还是不定的，但是在两次碰撞中间的飞行中，载流子受到电场力F，这样总的效果是，载流子在电场力的作用下作定向运动，这就是漂移运动，从而半导体中出现了载流子流，有电流产生。 * 下面我们来学习欧姆定律的新的表达形式。我们所熟悉的是导体中电压与电阻的比值是电流。欧姆定律的这个形式不能说明导体内部各处电流的分布情况。但是在半导体中经常有电流分布不均匀的情况，流过不同截面的电流强度不一定相同。因此我们用电流强度来从新写欧姆定律。就是电流强度等于电导率和电场强度的乘积。这种形式又被称为欧姆定律的微分形式。 * * 耿氏效应(Gunn effect) n型砷化镓两端电极上加以直流电压. 当电压高到某一值时,半导体电流便以很高频率振荡,这个效应称为耿氏效应 n型GaAs 直流电压 掺杂不均—高阻区—高阻区电场强—产生负阻效应——畴 畴内电场与外电场一致—畴生长—外电场降低—稳态畴 稳态畴渡越—在阳极消失—原有位置产生新畴—振荡电流 - - - - + + + + 正电荷积累层 负电荷积累层 电荷偶极层—畴 + - ←E t 畴生长过程 稳态畴形成 畴消失过程 频率高低主要取决于渡越时间，改变外延片尺寸就可以改变频率。 I §6 霍尔效应 1、 霍尔现象 2、?? 一种载流子的霍耳效应 3、?? 两种载流子的霍耳效应 4、?? 霍耳效应的应用 Bz d b VH I l B A z y x ○ + _ fEx fL f Ey ○ 空穴 1、 霍尔现象 通有电流的半导体,置于均匀磁场中，磁场方向与电流方向垂直,则半导体中将产生一横向电场. Hall电场: EY =RHJXBZ Hall系数: RH (m3/C) 产生原因: 载流子受到洛仑兹力而发生偏转, 从而在横向造成电荷积累, 形成横向电场 Hall系数的测量: 横向电场 EY =RHJXBZ 样品的宽度为b(y方向),厚度为d(z方向) RH = EY /JXBZ = EY bd /JX bd BZ = VHd/IXBZ 霍尔效应的意义: 载流子种类、载流子迁移率、电导率 b d 测试样品形状 矩形样品： 厚度和宽度比长度小得多 设样品长度为l，宽度为b，厚度为d Ey=VH/b Jx=Ix/bd 2、?? 一种载流子的霍耳效应 (1) p型半导体霍尔效应 电场力：fE=qEy （y方向的电场强度为：Ey ） 洛伦兹力：fL=qvxBz fEx fL qEy 平衡后： （RH）P为p型材料的霍尔系数。 P型半导体的霍尔角与空穴迁移率μ和电导率σ Ex Ey fE fL E θ J