MOS管(新)汇编.ppt

1.NMOS管的小信号模型 双端口 网络 g s d s vgs vds id 工作在饱和区的漏极电流iD: IDQ id＝gmvgs 谐波分量越小越好，一般取为0。 ig＝0,输入端相当于开路； id＝gmvgs，输出回路等效成一个电压控制电流源。 gm 2Kn VGSQ-VT 5.2.4 NMOS共源极放大电路的小信号模型 5.2 MOSFET放大电路 * 场效应管输出特性表达式： 求全微分: 漏极与源极间等效电导，相当于输出特性曲线斜率的倒数，为无穷大 其中： 为低频跨导,是转移特性曲线Q点的斜率 5.2.4 NMOS共源极放大电路的小信号模型 5.2 MOSFET放大电路 双端口 网络 g s d s vgs vds id 变化量 由该式可得到场效应管的微变等效电路 1.NMOS管的小信号模型 * 漏极与源极间等效电导，相当于输出特性曲线斜率的倒数，为无穷大 为低频跨导,是转移特性曲线Q点的斜率 5.2.4 NMOS共源极放大电路的小信号模型 5.2 MOSFET放大电路 双端口 网络 g s d s vgs vds id g s gmvgs vgs + - rds + - vds id d 因rds很大，可忽略，得简化小信号模型: 可得到场效应管放大电路的微变等效电路 1.NMOS管的小信号模型 * 5.2.4 NMOS共源极放大电路的小信号模型 5.2 MOSFET放大电路 2. 场效应管放大电路的微变等效电路 g d s B VDD Rd Rg1 Rg2 id Cb2 － v0 ＋ ＋ ＋ － vi Cb2 ＋ 首先将电容、电源短路得 到交流通路： 小信号模型： rds g s d gmvgs vgs + - + - v0 id vi + - Rg Rd * 5.2.4 NMOS共源极放大电路的小信号模型 5.2 MOSFET放大电路 2. 场效应管放大电路的微变等效电路 首先将电容、电源短路得 到交流通路： 小信号模型： rds g s d gmvgs vgs + - + - v0 id vi + - Rg Rd 1 电压放大倍数 2 输入电阻 Ri Rg1//Rg2 3 输出电阻 R0 Rd * g d s B VDD Rd Rg1 Rg2 id Cb2 － v0 ＋ ＋ ＋ － vi Cb2 ＋ R 首先将电容、电源短路得 到交流通路： 小信号模型： rds g s d gmvgs vgs + - + - v0 id vi + - R Rg Rd 5.2.4 NMOS共源极放大电路的小信号模型 5.2 MOSFET放大电路 2. 场效应管放大电路的微变等效电路 1 电压放大倍数 2 输入电阻 Ri Rg1//Rg2 3 输出电阻 R0 Rd * g d s B VDD Rd Rg1 Rg2 id ＋ － vi Cb2 ＋ Cb2 v0 ＋ ＋ Cb2 v0 ＋ ＋ R 首先将电容、电源短路得 到交流通路： 小信号模型： v0 + rds g s d gmvgs vgs + - id vi + - R Rg d g vgs + id gmvgs vi + - s rds R v0 Rg 1 电压放大倍数 取rds为无穷时： 2 输入电阻 Ri Rg1//Rg2 3 输出电阻 R0 R//rds// gm 1 推 导 5.2.5 NMOS共漏极放大电路的小信号模型 5.2 MOSFET放大电路 * d g vgs + id gmvgs vi + - s rds R v0 Rg 输出电阻R0的计算： Rs vT iT R0 vT iT iR ir vgs -vT iT iR +ir -gmvgs 5.2.5 NMOS共漏极放大电路的小信号模型 5.2 MOSFET放大电路 * 例.Rg1 60K，Rg2 40K，Rd 15K，VDD 5V，VT 1V，n 0.2mA/V2，RL 15K计算IDQ、VDSQ；Av、Ri、R0。 + - vi 解. 若管子工作在饱和区，则 0.2× 2-1 2 0.2mA 可见: 说明管子工作在饱和区. * 1 电压放大倍数 gm 2Kn VGS-VT 2×0.2× 2-1 0.4mS 2 输入电阻 Ri Rg1//Rg2 60//40 24K 3 输出电阻 R0 Rd 15K + - vi 例.Rg1 60K，Rg2 40K，Rd 15K，VDD 5V，VT 1V，n 0.2mA/V2，RL 15K计算IDQ、VDSQ；Av、Ri、R0。 解. * 模型 §5. 3 结型场效应管 Junction type Field Effect Transister 5.3.1 结型场效应管的结构和符号 结型场效应管是一种利用耗尽层宽度改变