基于SILVACO―TCAD的热氧化工艺实验教学探讨.docVIP

基于SILVACO―TCAD的热氧化工艺实验教学探讨 　　【摘 要】本文分析了TCAD技术的在实验教学中的优势，探讨其在“半导体热氧化工艺”实验教学中的应用。并以半导体热氧化工艺为例，利用TCAD技术中ATHENA工艺仿真模块，仿真验证了热氧化厚度与热氧化时间的关系。 　　【关键词】TCAD；ATHENA；半导体工艺；热氧化 　　0 引言 　　半导体热氧化过程中，需要使用各种氧化工艺设备，如卧式氧化炉、立式氧化炉、掺氯氧化炉等。在对氧化膜参数和性能测量时，也需要使用半导体参数测量仪、椭偏仪等仪器。这些设备仪器价格昂贵，购置和维护这些设备的费用远远超出了学校的承受能力，导致其中部分实验无法开设。在已经开设的部分半导体氧化实验中，实验人员一般是通过程序设定或者仪器操作进行实验，属于外部和宏观上的观察，对实验的过程和结果不能直观分析，往往是只能观察到部分结果，无法得到一个全面的认识。有些实验的准备时间和实验时间，如抽真空时间、薄膜氧化时间等过长，使得整个实验持续很久，效率低下，学生也感觉浪费了时间。另外有的实验，其过程简单枯燥，实验细节被工艺设备所阻隔，令人感到乏味，降低了学生的兴趣，影响教学效果。 　　1 TCAD技术在热氧化实验教学中的优势 　　现在很多的半导体工艺及器件的开发是由计算机仿真程序来完成的。这样的程序被称为TCAD。使用TCAD可以有效的缩短研发成本和研发周期[1]。此类TCAD软件种类较多，其中美国的Silvaco所设计的TCAD软件是最具代表性的工艺及器件仿真软件。Silvaco提供了TCAD Driven CAD Environment，这一套完整的工具使得物理半导体工艺可以给所有阶段的Ic设计方法提供强大的动力：制程模拟和器件工艺；SPICE Model的生成和开发；interconnect，parasitics的极其精确的描述；physically-based可靠性建模以及传统的CAD。所有这些功能整合在统一的框架，提供了工程师在完整的设计中任何阶段中所做更改导致的性能、可靠性等效果直接的反馈[2-3]。 　　TCAD技术构建的仿真制造系统，由于可以节约开发时间，减少开发成本[4]，已经在半导体工业界和科研领域得到广泛的应用，并获得很大的成功。应用TCAD技术构建虚拟实验教学，具有巨大的优势，可以获得明显的成效。首先，利用TCAD技术进行虚拟实验，所需要的时间少、速度快[5]。一个基本热氧化过程一般需要几小时或更多的时间，而用软件模拟一次仅需要几分钟。其次，基于程序的仿真流程，命令简单，操作易于上手，而且即使出现错误操作，也不会损伤仪器，因此虚拟实验的管理维护费用可以基本忽略[6]。再次，在实验前后以及进行过程中，可以随时观察各项数据（包括形貌、杂质分布、电场分布、电流、电阻等），可以分析每一步操作的中间结果，从而得到即时全面的认知。 　　2 半导体热氧化仿真程序的教学实践 　　2.1 教学设计 　　在半导体热氧化虚拟实验的开设过程中，我们可以将其设计为验证性实验、也可以设计为探究式实验。验证性实验通过指定某些特定的工艺步骤和工艺流程，建立起规定的微电子器件结构，进行基础电学特性的仿真。这类实验着重培养学生软件操作、程序编写和数据处理与输出等基本技能，并验证课本中的工作原理、变化过程和结果，获得直观和正确的认识。探究性实验只指定产生的器件结构和测量要求，让学生自行设计实验并加以仿真实现。此类实验可以激发学生的好奇心，提高专业学习的积极性，培养学生的创新思维口引。在具体实践中，我们是以验证性实验来开设的，以后会进行探索性实验来进行，并将根据教学效果和学生反馈继续进行调整。 　　2.2 热氧化厚度与氧化时间的关系的仿真程序 　　其程序设计如下： 　　go athena 　　line x loc=0.00 spac=0.01 　　line x loc=0.6 spac=0.01 　　line y loc=0.00 spac=0.01 　　line y loc=0.80 spac=0.01 　　init silicon 　　Diffuse time=t temp=T dryo2 　　extract name=gateoxide thickness material=SiO～2 x.val=0.3 　　quit 　　其中，t表示氧化时间，T表示氧化温度。以下表1和表2分别在温度1000℃和1100℃时进行干法氧化实验时，并分别在不同的时间下抽取所得氧化层厚度的测量数据。干法氧化实验所选用的衬底材料为P型硅。 　　表1 温度T=1000℃ 干氧化dryo2 　　表2 温度T=1100℃ 干氧化dryo2 　　硅干氧氧化层厚度与氧化时间的关系如上表所示，从表可以