ZLG公司 ED防静电设计 内部培训资料.docVIP

目 录 第1章 NXP ESD基础篇 1 1.1 什么是ESD 1 1.2 ESD对电子设备造成的破坏 1 1.3 快用NXP的ESD保护器件保护您的产品 2 1.4 用变阻器和ESD保护器件来保护静电高压脉冲的区别 4 1.5 NXP ESD保护器件的特性 5 1.6 国际ESD标准 5 1.7 ESD参数名词解释 5 1.7.1 VC箝位电压 5 1.7.2 VRWM 反向关断电压 6 1.7.3 PPP 峰值脉冲功率 6 1.8 选择ESD保护器件的方法 7 1.9 NXP ESD保护器件的分类及原理 8 1.9.1 PESD系列 8 1.9.2 PRTR系列 9 1.9.3 IP系列 11 1.9.4 小结 12 1.10 NXP ESD器件的命名规则 12 1.11 ESD器件交叉参照选型表 13 第2章 NXP ESD器件应用篇 14 2.1 ESD器件的保护通道 14 2.2 针对各种应用场合的应用示例 15 2.2.1 USB2.0的保护（PRTR5V0U4D用于双路USB） 15 2.2.2 SD卡的保护 15 2.2.3 MMC多媒体卡的保护 16 2.2.4 DVI/HDMI的保护 16 2.2.5 独立Audio/Video的保护 17 2.2.6 S-Video/Audio的保护 17 2.2.7 SCART接头的保护 17 2.2.8 IP芯片在SIM卡保护中的应用 18 2.2.9 IP芯片在SD /MMC多媒体卡保护中的应用 18 2.2.10 汽车CAN和LIN总线的保护 19 第3章 PESD系列选型指南 20 3.1 ESD保护——极低容抗25pf 20 3.2 ESD保护——标准容抗 21 3.3 轨到轨ESD保护——极低容抗5pF 22 3.4 EMI滤波器和ESD保护 23 3.5 电平变换、缓冲器和带完整的ESD保护的EMI滤波器 25 第4章 NXP ESD方案介绍 26 A.1 版本信息 28 A.2 版权声明 28  NXP ESD基础篇 什么是ESD ESD（ElectroStatic Discharge）即“静电放电”，是研究静电的产生与衰减、静电放电模型、静电放电效应（如电流热效应（电火花）和电磁效应（电磁干扰EMI及电磁兼容性EMC））的学科。 物质之间相互作用（如摩擦、接触、感应、传导）而引起的物质获得或失去电子，失去电平衡而带电荷，电荷的积累就使得物质表面带上静电，当电荷积累到足够的强度时，电荷将可能泄放，造成其周围的物质被击穿，从而得到新的电平衡。这种静电电荷的快速中和称为静电放电，由于其速率很快，而且在放电时的电阻一般很小，往往会造成瞬时大电流，可能超过20安培。这种放电如果经过集成电路，这么大的电流往往会对电路造成损害。 ESD有多种模型来描述器件如何受到损害：人体模式（HBM），器件带电模式（CDM），场感应模式等等。下图为ESD放电模型图。 图 1.1 ESD放电模型图 ESD对电子设备造成的破坏 ESD在电子设备中时有发生，在静电放电过程中，将产生潜在的破坏电压、电流和电磁场。ESD产生强大的尖峰脉冲电流，包含丰富的高频成分，其最高频率甚至可能超过1GHz。这些高频脉冲使得PCB板上的走线变成非常有效的接收天线，使得感应出高电平的噪声。 ESD对电路的干扰一是静电放电电流直接通过电路造成损害，另一是产生的电磁场通过电容耦合、电感耦合或空间辐射耦合等对电路造成干扰。 ESD电流产生的场可直接穿透设备，或通过孔洞、缝隙、输入输出电缆等耦合到敏感电路。ESD电流在系统中流动时，激发路径中所经过的天线，导致产生波长从几厘米到数百米的辐射波，这些辐射能量产生的电磁噪声将损坏电子设备或骚扰它们的运行。 若ESD感应的电压或电流超过电路的电平信号，在高阻抗电路中，电流很小，此时电容耦合占主导，ESD感应电压将影响电路电平信号；在低阻电路中，电感耦合占主导，ESD电流将导致器件失效。 ESD的两种主要破坏机制是： ① 由于ESD电流产生的热量导致器件的热失效； ② 由于ESD高的电压导致绝缘击穿，造成激发更大的电流，造成进一步的热失效。 ESD失效可以分为永久失效及暂时失效。如果在静电接触传导放电时产生的电压过高电流过大，有可能会造成器件永久性损坏，如冬天用手接触电路，造成设备损坏而不能继续使用。而在有些情况下，一些较小的电路噪声，导致偶尔出现异常结果，但过后设备并未损坏，这种情况可称为ESD暂时失效。下图为因ESD损坏的电路板及芯片。 图 1.2 ESD对电路板及芯片造成的损坏 快用NXP的ESD保护器件保护您的产品 许多公司和许多开发人员都遇到过这样的情况：在实验室开发好的产品，测试完全通过