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透明导电氧化物AZO薄膜的制备与性能研究 　　摘要：利用直流磁控溅射法，采用氧化锌铝（98%ZnO+2%Al2O3）为靶材，在普通载玻片上制备了AZO （ Z n O：Al）薄膜。采用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析，采用分光光度计和四探针法对薄膜的光电学性能进行了测试。结果表明：控制好工艺参数可以制备出致密、均匀并具有良好的光电性能的AZO薄膜；并计算了带隙能量和折射率。 　　关键词：磁控溅射；电阻率；透过率；AZO；薄膜 　　中图分类号：TP391 文献标识码：A 文章编号：1009-3044（2014）09-2107-03 　　1 概述 　　透明导电氧化物（TCO）薄膜在液晶显示器的透明电极、太阳能电池的窗电极、输入画面用开关、应用于汽车、电车、飞机挡风玻璃、红外线反射膜等诸多领域获得了广泛的应用和研究 [1-3]。作为透明导电氧化物（TCO）薄膜的一种，AZO薄膜即掺铝氧化锌具有热稳定性好，无毒性，原材料Zn和Al储量丰富、价格低廉，更易于刻蚀，易于实现掺杂，且在等离子体中稳定性好的优点.当前AZO 薄膜的制备方法，主要包括化学气相沉积（CVD）[4]、磁控溅射法（MS）[5]、脉冲激光沉积（PLD）、分子束外延（MBE）、溶胶-凝胶（ Sol- Gel）等。其中磁控溅射方法以其沉积速率高、成膜质量好、与衬底附着力强、制备成本低而适宜大面积生产等优点，颇受人们的青睐，在大多数研究中， 主要是局限在射频磁控溅射制备的AZO 薄膜， 对直流磁控溅射陶瓷靶制备AZO 薄膜的研究还很缺乏。本实验就是利用直流磁控溅射方法制备了光电性能良好的AZO薄膜，并详细分析光电性能计算了带系能量和折射率。 　　1.1 AZO薄膜的制备 　　采用 JGP450 型超高真空多功能磁控溅射设备（沈阳科学仪器研制中心有限公司） ， 以普通玻璃为基底制备AZO 薄膜， 玻璃基底在溅射前经过丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗，靶材用的是陶瓷靶材[ ZnO和Al2O3 的质量分数分别为98%和2%] ，靶材尺寸为φ60 mm × 4 mm， 靶基距为70 mm，本底真空抽至6×10-4 Pa，沉积温度控制在200 ℃，在正式溅射前， 先用氩气对玻璃基底表面-300V偏压预溅射5 min，以达到清除靶表面的杂质和污染物，提高膜的纯度的目的。正式镀膜通入氩气流量为40 sccm，工作压强为0.75 Pa，溅射功率为90 W，溅射时间15 min。 　　1.2 AZO薄膜的测试 　　采用台阶仪测量AZO薄膜厚度，测定薄膜的结构采用日本理学X射线衍射仪（Cu Kα为射线源），用日立公司场发射扫描电镜来观察薄膜形貌和给出能谱图。可见光的透过率的测量利用紫外-可见-近红外分光光度计，样品的电阻率利用常温下的霍尔效应测定。 　　2 结果与讨论 　　2.1薄膜的微观结构与形貌分析 　　由于薄膜的微观形貌及晶相结构与其光电性能密切相关，因此，为了表征所制备的 AZO 薄膜样品的表面微观形貌和其晶相结构， 对样品分别进行了电镜扫描和XRD分析。图1为样品的XRD谱，从图1看到，AZO薄膜的的衍射角在 34.45°附近，本征 ZnO主峰（002）衍射角在 34. 48°处， 较弱的衍射峰（ 004）还被看到，薄膜中除了ZnO 的本征峰值外并没有发现其它衍射峰，说明该样品具有c轴择优取向六方纤锌矿结构。这个结果与文献的结果一致。薄膜中Al3+对Zn2+的部分替换使AZO的晶格常数c发生变化，而使衍射峰位发生偏移。ZnO晶体为六方纤锌矿结构（002）晶面面密度最大，晶面能量最低，因而会在该晶面择优生长，这是根据晶体生长的热力学原理，薄膜倾向于沿着表面能最低的晶面生长。（002）的衍射峰非常强，而且比较尖锐，这表明薄膜的结晶度非常好。根据Scherrer 公式 ： 　　图2为薄膜样品的SEM图和能谱图。从图2a 中可以看出，薄膜的结晶度良好，晶粒尺寸比较均匀，薄膜表面均匀致密， 表面光滑平整，无异常大的颗粒，说明利用该方法能够制备出高质量的 AZO 薄膜。图2b通过能谱仪得到的EDX谱图，从图中可知，该薄膜样品仅有Al、Zn、O 三种元素，Al元素的原子百分含量为4.42%（at）。范志新[12]报道AZO 薄膜最佳的铝参杂含量为4.6656%（at），得到电学性能最好。我们可看到该样品的铝含量接近最佳值。 　　2.2电学性能分析 　　利用四探针法测量了薄膜的电阻率，该AZO 薄膜样品的电阻率达到了8×10-4Ω?cm。可从半导体导电的实质来分析一下电阻率比较低的原因。在外场作用下材料中的载流子做定向运动因而使半导体产生电流，而载流子的迁移率与浓度决定其电导率，电导率的计算公式为 　　A Z O薄膜呈n型是由于掺入了带有