探测器的相关概念.docVIP

高能射线穿过固态探测器时与介质晶体之间的相互作用是通过弹性散射、光电吸收、康普顿散射以及附生电子-正电子对四种机制进行的。其中，光电吸收和康普顿散射是较为主要的过程。在这个过程中，入射光子的能量被介质材料中原子的外层电子所吸收，获得能量后的电子由满带跃迁到导带，在导带上产生额外的电子，在满带上留下空穴。与此同时，该电子还通过康普顿效应与半导体晶格发生相互作用，将能量传递给后者。上述过程会产生大量的电子一空穴对。如果此时在介质晶体两端加上足够高的外电场，那么这些载流子将分别向两电极漂移，从而在探测器电极上形成一个脉冲电流。 该电流经前置放大器放大后产生一个高度与探测器电流的时间积分成正比的输出电压脉冲。此电压脉冲通过成形放大器转换为高斯脉冲，进一步放大成形，在过滤掉背景噪声后，使信一噪比达到最高，然后将其输入多道脉冲幅度分析仪，由其记录在每个道数 道数表示脉冲的高度 上所测量到的脉冲数量并分别以数据和图谱的形式呈现出来。由于射线的能量与所产生的载流子数量成正比，而探测器内电流的时间积分又正比于载流子的数量，因此前置放大器产生的电压脉冲正比于入射射线的能量。最后多道分析仪给出的数据和图谱就表示了射线的能谱。 l 原子序数高：提高辐射粒子与探测材料原子之间相互作用的效果。光电效应截面大小与γ射线能量和吸收物质的原子序数有关。粗略地讲，随光子能量增大而减小，随Z的增大而增大。可由量子力学计算公式得到。 2 禁带宽度大：控制热生电流。可探测到高能射线，提高高能射线分辨率。并获得电阻高，漏电流低，从而降低探测器工作时的噪音 3 高电阻率：高的电阻率可以使得探测器在高电压下具有低的漏电流，这对于降低探测器工作噪声，提高能量分辨率。 4 较高的本征μτ值 μ载流子迁移率,τ载流子寿命 。载流子的漂移程是由载流子迁移率、载流子寿命以及应用电场的乘积所决定的。载流子在被材料中的缺陷俘获中心俘获前的平均寿命与材料的不完整性密切相关。而载流子的收集效率则取决于单位时间内光生载流子漂移程与介质材料厚度的比例大小。理想情况下，载流子漂移程应该远远大于介质材料的厚度，这样方能保证对载流子有一个完全的收集。 5 能够制备出大体积的高纯度、低缺陷均匀材料。这是因为，大的探测体积有利于接受更多的入射光子，这将显著提高探测器的灵敏度和收集效率，缩短响应时间，从而提高探测效率。而高的纯度，好的均匀性以及低的缺陷密度能够带来低的漏电流，优良的载流子传输特性，同时能够避免在探测器两极间产生短路。 6 易于在材料表面制备无极化效应的欧姆接触或肖特基势垒接触电极。满足该条件的探测器能耐承受高的反向偏压，漏电流小且正向电阻也小。 通常认为，Zn 的掺入量决定了本征Cd1-xZnxTe晶体的电阻率和禁带宽度，即Zn 的掺入量越高，晶体的电阻率越高，禁带宽度越大。因此，前人一般倾向于选择高的x 值 x 0.1-0.2 来生长晶体，但是大的x 值会使晶体的熔点升高，加大了晶体生长的难度，影响了所获得的晶体的质量，晶体偏离了本征态。在熔体法生长CdZnTe晶体时，随Zn含量的增加，熔点会提高，在熔点温度下，晶体内各组元，尤其是镉具有较高的平衡蒸汽压，一部分Cd从熔体中挥发，在晶体中产生大量的镉空位，并使富余的T碲析出形成碲沉淀相，破坏了晶体的化学计量比。Cd空位具有受主特性，相当于在晶体中掺杂，因而显著提高晶体内载流子浓度，从而降低了电阻率。 沉淀的碲颗粒作为微观散射中心，对在晶体中转播的光有强的散射作用，从而极大程度地降低晶体的红外透过率。 要增加CZT晶体的电阻率，就必须对其中的Cd空位和Te反空位进行补偿。一个有效的补偿办法就是向其中引入施主掺杂，通过复合Cd空位等受主能级来钉扎禁带中的Fermi能级，从而达到提高电阻率的目的。由于CZT属于Ⅱ-Ⅵ族化合物，因此，ⅢA族的元素In、Al、Ga以及ⅦB族的Cl、Br、I等元素都是合适的施主掺杂元素，能够在填补晶体中空位的同时提供多余的电子。但是，ⅦB族元素较为活泼，在CZT中不易长期稳定存在。而ⅢA族中的Al和Ga原子量较小，容易在晶体中形成间隙原子，不利于发挥其补偿作用。In的原子量与CZT中的主元素Cd和Te的原子量接近，能够以替位原子的形式在CZT中稳定存在。 在理想条件下向晶体中掺入In，能使得施主得到补偿，同时又不会降低该材料的其他关键性能，从而在提高晶体对γ射线敏感性的同时，极大地提高电阻率。铟作用有三：一是补偿晶体中的空位，二是对结晶性能有一定的影响，最后成为晶锭中的添加杂质。 制备方法主要有高压布里奇曼法 HPB , 垂直布里奇曼法 VB , 水平布里奇曼法 HB , 移动加热器法 THM , 热交换法 HEM , 垂直梯度凝固法 VGF 。In是典型的IIIA族元素，5s5p型。所以其