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光电技术第2章第1节
第2章 光电导器件 本章的主要内容涉及光敏电阻的工作原理、基本特性、几种常用的光敏电阻和基本偏置电路,最后例举了光敏电阻在相机自动暴光和电路控制中的应用 第2章 光电导器件 重点:1、 影响光敏电阻光电流大小的因素;2、 光敏电阻的光电特性;3 、光敏电阻的阻值计算;4 、光敏电阻在电路控制中的应用;难点:光敏电阻的阻值计算。 第2章 光电导器件 利用具有光电导效应的材料(如硅、锗等本征半导体与杂质半导体,硫化镉、硒化镉、氧化铅等)可以制成电导随入射光度量变化器件,称为光电导器件(光敏电阻)。 光敏电阻具有体积小,坚固耐用,价格低廉,光谱响应范围宽等优点。广泛应用于微弱辐射信号的探测领域。 光敏电阻的优点: 1、光谱响应范围宽; 2、工作电流大,可达数毫安; 3、所测光强范围宽; 4、灵敏度高; 5、偏置电压低,无极性之分,使用方便; 缺点:在强辐射下光电转换线性差;光电驰豫过程长;频率响应低。使用时需要有外部电源,同时当有电流通过它时,会产生热的问题。 2.1 光敏电阻的原理与结构 2.1.1 光敏电阻的基本原理 2.1.2 光敏电阻的基本结构 2.1.3 典型光敏电阻 2、PbS光敏电阻 3、InSb光敏电阻 4、Hg1-xCdxTe系列光电导探测器件 2.2 光敏电阻的基本特性 (1) 暗电阻 光敏电阻在不受光照射时的阻值称为暗电阻, 此时流过的电流称为暗电流。 暗电导 光敏电阻在不受光照射时的电导称为暗电导。 (2) 亮电阻 光敏电阻在受光照射时的电阻称为亮电阻,此时流过的电流称为亮电流。 亮电导 光敏电阻在受光照射时的电导称为亮电导 (3) 光电流 亮电流与暗电流之差称为光电流。 2.2.2 伏安特性 2.2.3 温度特性 2.2.4 时间响应(与入射光的照度、所加电压、负载电阻及照度变化前所经历的时间等因素有关) 对于本征光电导器件在非平衡状态下光电导率Δσ和光电流IΦ随时间变化的规律为 光电导率和光电流随时间变化的规律为 光敏电阻电导率的变化规律为 前历效应(光敏电阻的时间特性与工作前“历史”有关) 暗态前历效应(工作前处于暗态):暗态前历越长,光电流上升越慢。一般,工作电压越低,光照度越低,则暗态前历效应就越显著。 亮态前历效应(工作前已处于亮态):当照度与工作时所要达到的照度不同时,所出现的一种滞后现象。 一般,亮电阻由高照度状态变为低照度状态达到稳定值时所需要的时间要比由低照度状态变为高照度状态所需要的时间要短。 2.2.5 噪声特性 光敏电阻的主要噪声有热噪声、产生复合和低频噪声(或称1/f噪声)。 2.2.5 噪声特性 光敏电阻的主要噪声有热噪声、产生复合和低频噪声(或称1/f噪声)。 2.2.6 光谱响应 光敏电阻的光谱响应指其相对光谱灵敏度与波长的关系。主要由光敏材料禁带宽度、杂质电离能、材料掺杂比与掺杂浓度等因素有关。 * * 当光敏电阻的两端加上适当的偏置电压Ubb(如图2-1所示的电路)后,便有电流Ip流过,用检流计可以检测到该电流。 1、CdS光敏电阻 CdS光敏电阻是最常见的光敏电阻, 其光谱响应特性最接近人眼光谱光视效率,它在可见光波段范围内的灵敏度最高,因此,被广泛地应用于灯光的自动控制,照相机的自动测光等。 CdS光敏电阻的峰值响应波长为0.52μm CdS光敏电阻的光敏面常为如图2-2(b)所示的蛇形光敏面结构。 PbS光敏电阻是近红外波段最灵敏的光电导器件。 PbS光敏电阻在2μm附近的红外辐射的探测灵敏度很高,因此,常用于 的探测等领域。 PbS光敏电阻的光谱响应特性与工作温度有关,随着工作温度的降低其峰值响应波长和长波限将向长波方向延伸。例如,室温下的PbS光敏电阻的光谱响应范围为1~3.5μm,峰值波长为2.4μm。当温度降低到(195K)时,光谱响应范围为1~4μm,峰值响应波长移到2.8μm。 InSb光敏电阻是3~5μm光谱范围内(大气窗口范围)的主要探测器件之一。 InSb材料不仅适用于制造单元探测器件,也适宜制造阵列红外探测器件。 InSb光敏电阻在室温下的长波限可达7.5μm,峰值波长在
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