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光刻工艺基础知识PHOTO (注：引用资料) 　　光刻工艺基础知识PHOTO 　　PHOTO 流程? 　　答：上光阻→曝光→显影→显影后检查→CD量测→Overlay量测 　　何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？ 　　答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。 　　何为正光阻? 　　答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。 　　　　何为负光阻? 　　答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。 　　　　什幺是曝光？什幺是显影？ 　　答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。 　　何谓 Photo? 　　答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。 　　Photo主要流程为何? 　　答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake等。 　　何谓PHOTO区之前处理?