化学16重点分析.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * ②．复合辐射 当一个自由电子被离子俘获复合成低价态的离子或中性粒子时，发射电磁波的过程称为复合辐射。辐射频率 εe复合之前自由电子的动能 Ei电离能 Em复合后该电子所处的能级 在低温等离子体中，随着电离度的增加，复合辐射的可能性提高。 ③．轫致辐射 在离子体中带电粒子因受其它粒子静电势场的作用而发生速度变化时，伴随动能变化发出的电磁辐射称为轫致辐射。 分别为辐射前后的自由电子的动能，且 ＞ 。在高温等离子体中，轫致辐射是主要形式 ④．回旋辐射 等离子体在外磁场中由于洛伦兹力的作用作回旋运动时产生的辐射。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 这时浮置基板表面电位Vｆ趋于稳定，与等离子体电位之间的差值Vp－Vf保持定值，将浮置基板上达到的稳定电势Vf叫做浮置电位。Vf是一个负电位，在浮置基板与等离子体交界处形成的是一个由正离子构成的空间电荷层，也就是离子鞘。 凡与等离子体交界的任何绝缘性物体（如管壁）都会保持一定的浮置电位，其近旁也都会形成离子鞘，而浮置电位相对于等离子体总是负的，等离子体电位相对于任何与之接触的绝缘体总是正的。 总之，鞘层内已不再是等离子体状态了，其已偏离电中性。 我们在实验室或生产中遇到的各种等离子体都有管壁之类的界限，浮置电位及由此而形成的离子鞘是一个无法回避的普遍性问题。 进入鞘层的离子将会受到鞘层电场的加速，直接影响离子能量，如等离子体刻蚀等工艺中被鞘层电场加速的离子轰击待处理的工件表面，会引起种种物理变化或化学变化，对工艺过程产生重要影响。 3．离子鞘理论 ①． Bohm判据 低气压下离子鞘的简单模型如图。 设等离子体电位为ＶＰ，插入的平板导电电极表面具有负电位Vs，则导电电极附近将形成三个不同的区域：等离子体区、准中性等离子体区和离子鞘区。 在距电极较远的地方，由于未受外电场扰动，仍然保持等离子体状态，ne=ni；但从Ｃ点开始，导体电极电位Vs逐渐影响粒子分布，形成负电场，但电子密度减少很小，另外，因离子被Vs加速也有一定程度地减少，因此，仍然保持ne=ni的状态，此区域即准中性等离子体区。 在电极附近从Ｂ点开始，由于电位梯度急剧增大，形成很强的负电场，受此电场的作用，大部分分子、电子被排斥，变成neni ，形成离子鞘区。 就电位而言，稳定的离子鞘是从比等离子体电位Vp稍稍负一点的地方V０开始产生的，鞘层随负电位的增大而展宽。 鞘界面Ｂ处的电位，即VＯ由电子温度Te决定，其值为V0=KTe/2e，即稳定离子鞘是在电位相当于电子温度一半的界面处开始形成。（电子温度单位为eV） Bohm判据： VＯ的取值称为离子鞘的生成条件，即形成离子鞘的Bohm判据。 在低压等离子体中，该判据与实验结果非常吻合。若导体电极的负电位增加，离子鞘的厚度ｄ也随之逐渐增大，使相当于VＯ值的一部分往往“泄漏”到鞘外，由此产生的电场叫渗透电场 ②．离子电流 Ⅰ．热扩散电流 图中Ｃ点右方的等离子区，离子是作随机热运动的，流往等离子体界面的是热扩散电流Ii(0)。从Ｃ点向左，将出现离子密度梯度，因此这里的热扩散电流Ii(0)比通常的平均热运动电流要大一些，但因其数值与离子浓度，流入处的密度梯度以及扩散系数等多种因素有关，因而无法简单计算． Ⅱ．进入准中性区后 由于受ＢＣ间渗透电场的加速，离子电流急剧增大，并通过Ｂ点进入鞘内，此过程的电流称为渗透电场加速电流I0。 式中ｓ鞘层界面面积 mi离子质量 ni离子密度 Ⅲ．进入鞘层内 荷电粒子几乎全部是离子，电流为空间电荷限制电流 Ii(v) 式中 Vs为导体电极电位 ε0真空介电常数 ａ取决于电极形状和鞘层 参数的函数，对平板电极 ，a=d鞘厚 对球形电极或圆筒状电极 ａ是rs/rp的函数 ，rs是鞘半径 rp是电极半径 ③．浮置电位Vf 置于等离子体中的绝缘体表面，会自动呈一定数值的负电位即浮置电位。经计算得 式中 上式说明： Ⅰ．对于给定物系，浮置电位Vf