第三章半导体光电器件导论.pptVIP

第三章 半导体光电器件 3.1光电导型光电探测器件 3.2势垒型光电探测器件 3.1光电导型光电探测器件 一、概述 二、光敏电阻的结构 三、光敏电阻的工作原理 四、光敏电阻的特性 五、光敏电阻的特点 六、注意事项 一、概述 光电导型光电探测器件是利用光电导效应制成的均质型光电探测器件。典型的光电导器件为光敏电阻。 常用的光敏电阻有CdS硫化镉、CdSe硒化镉、以及TeCdHg碲镉汞等。其中CdS是工业应用最多的，而PbS硫化铅主要用于军事装备。 Hg1-xCdxTe碲镉汞系列光敏电阻是目前所有探测器中性能最优良最有前途的探测器。 一、概述 在光电导体中，由于配制Cd组分(x量)的不同，可得到不同的禁带宽度Eg，从而制造出波长响应范围不同的Hg1-xCdxTe碲镉汞探测器。常用的有1-3μm、3-5μm、8-14μm三种波长范围的探测器，所以对大气窗口波段的探测非常重要 。 光敏电阻在光照下会改变自身的电阻率，且没有极性，只要把它当作阻值随光照强度而变化的可变电阻来对待即可，因此在电子电路、仪器仪表、光电控制、计量分析以及光电制导等领域得到了广泛的应用。 二、光敏电阻的结构 三、光敏电阻的工作原理 无光照射时： 导带基本为空，电阻率很高。 有光照时： 本征半导体 ： a 杂质半导体 : b 四、光敏电阻的特性 1、光电导灵敏度 R 2、光谱响应特性 3、光照特性 4、伏安特